原子モアレ変調構造の走査トンネル分光

原子莫尔调制结构的扫描隧道光谱

• 批准号: 07225204
• 负责人: 上野 啓司
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1995
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1995 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-07225204/
• 关键词: STM; トンネル分光; 層状物質; モアレ変調; アルカリ金属吸着

本研究は、ファンデアワールス・エピタキシ-法によって作製された層状物質による超薄膜ヘテロ構造表面の、走査型トンネル顕微鏡(STM)像に現れる、長周期モアレ変調構造や、金属吸着層状物質表面に特異に現れる電子変調構造の微視的解明を目標としている。モアレ変調構造については、試料温度によるSTM像の変化を調べるために、100Kから1200Kまで試料温度を変えることの出来る超高真空STM装置を導入し、立ち上げ中である。完成し次第すぐに各ヘテロ成長試料の観察を始める予定である。アルカリ金属吸着表面では、LiからCsに至るアルカリ金属をMoS_2,MoSe_2,MoTe_2各基板に微量吸着しSTM観察を行った。その結果全ての組み合わせに於いて同様なサンプルバイアス電圧依存性を示す変調構造が観察された。即ち空状態像では直径2〜3nmの暗点、占有状態像では同じ場所に馬蹄型の輝点構造が観察された。アルカリ金属間でのイオン化エネルギー、イオン半径の差、及び基板半導体の格子定数、バンドギャップの差にもかかわらず同様な変調構造が全ての試料で観察されたことから、吸着アルカリ金属は基板とは反応やインターカレーションはせずに、表面に留まって単にイオン化しているだけと考えられる。バイアス依存変調構造は吸着イオン周辺に局在する負電荷によって局所状態密度及びバンドの曲がりが変化することで発生していると考えている。現在その詳細について理論的研究を行っている。

This study aims to investigate the Weishi app of electron modulation structures on the surface of layered materials, ultra-thin film structures, and surface micro-mirror (STM) images. The ultra-high vacuum STM device is introduced into and installed at 100K to 1200K for sample temperature adjustment. To complete the first phase of the development of the test material Microsorptions on various substrates, such as MoS_2, MoSe_2 and MoTe_2, were observed. The result is that the voltage dependence of the whole system is observed. That is, the empty state image has a dark dot with a diameter of 2 ~ 3nm, and the occupied state image has a horseshoe-shaped bright dot structure. The test sample was examined for the change in lattice number, difference in radius, and substrate semiconductor structure. The test sample was examined for the change in lattice number, difference in radius, and substrate semiconductor structure. The test sample was examined for the change in lattice number, difference in radius, and substrate semiconductor. The negative charge of the adsorption structure depends on the state density of the adsorption structure and the change of the adsorption structure. Now we are going to study the theory in detail.

项目成果

H.Abe,K.Kataoka,K.Ueno and A.Koma: "“Scanning Tunneling Microscope Observation of the Metal‐Adsorbed Layered Semiconductor Surfaces"" Japanese Journal of Applied Physics. 34. 3342-3345 (1995)

H.Abe、K.Kataoka、K.Ueno 和 A.Koma：“金属吸附层状半导体表面的扫描隧道显微镜观察”，日本应用物理学杂志 34. 3342-3345 (1995)。