权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

原子モアレ変調構造の走査トンネル分光

原子莫尔调制结构的扫描隧道光谱

基本信息

批准号：
05245203
负责人：
小間篤
金额：
$ 2.37万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究は、ファンデアワールス・エピタキシー法によって作製された層状物質による超薄膜ヘテロ構造表面の、走査型トンネル顕微鏡(STM)像に現れる、長周期モアレ変調構造の微視的解明を目標としている。平成5年度は、モアレ変調構造の各所において、STMを用いたトンネルスペクトルの測定を進めた。その一方で、モアレ変調構造の起因を追求するための基礎データとして、層状物質表面そのもの、及び極微量の金属原子を吸着させた層状物質表面の電子帯構造のSTM、トンネルスペクトル測定を行った。MoS_2基板上にMoSe_2超薄膜を単結晶ヘテロ成長した試料のモアレ変調構造のトンネルスペクトル測定では、変調構造の明部と暗部の電子帯構造に、明らかな差異があることが確認された。この結果は、モアレ変調構造が、単純な表面の凹凸ではなく、成長した超薄膜の表面電子構造が基板から周期的な変調作用を受けた結果現れている、というモデルを支持している。層状物質表面にSnやNa等の金属を微量吸着させた試料の測定では、STM像に、吸着によると思われる大きさ数nmの暗い班点状の模様が観察されたが、高分解能観察を行うと、その暗部の中でも、外側の明部と連続した原子像が観察された。このことは吸着した金属は表面にはとどまらずに内部に浸透し、その周辺に局在する電子構造の変調を引き起こしていると考えられる。トンネルスペクトルの測定では、フェルミ準位から+1.2Vの空準位において清浄表面のスペクトルには存在しないピークが観察されており、吸着金属原子による局所的電子構造の変化を裏付けている。

This study aims to investigate the Weishi app of STM imaging and the interpretation of long-period thin film structures in layered materials. In the fifth year of Heisei, the measurement of the various components of the modulation structure was carried out. The basic structure of the layered material surface and the adsorption of metal atoms of the fine particles are determined by the method of STM and SEM. MoSe_2 Ultrathin Film on MoS_2 Substrate Crystal Growth Test Sample's Crystal Structure Measurement Test Sample's Crystal Structure's Crystal Structure Test Sample's Crystal Structure's Crystal Structure The result is that the surface electronic structure of the ultra-thin film is affected by the periodic modulation of the substrate. Determination of trace amounts of Sn, Na, etc. on the surface of layered substances: STM image, adsorption, high-resolution, high-resolution atomic images The surface of the metal is saturated with oxygen, and the surface of the metal is saturated with oxygen. The determination of the electron structure of the adsorption metal atom is based on the change of the electron structure of the adsorption metal atom.