原子モアレ変調構造の走査トンネル分光

原子莫尔调制结构的扫描隧道光谱

基本信息

  • 批准号:
    05245203
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.37万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1993
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1993 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究は、ファンデアワールス・エピタキシー法によって作製された層状物質による超薄膜ヘテロ構造表面の、走査型トンネル顕微鏡(STM)像に現れる、長周期モアレ変調構造の微視的解明を目標としている。平成5年度は、モアレ変調構造の各所において、STMを用いたトンネルスペクトルの測定を進めた。その一方で、モアレ変調構造の起因を追求するための基礎データとして、層状物質表面そのもの、及び極微量の金属原子を吸着させた層状物質表面の電子帯構造のSTM、トンネルスペクトル測定を行った。MoS_2基板上にMoSe_2超薄膜を単結晶ヘテロ成長した試料のモアレ変調構造のトンネルスペクトル測定では、変調構造の明部と暗部の電子帯構造に、明らかな差異があることが確認された。この結果は、モアレ変調構造が、単純な表面の凹凸ではなく、成長した超薄膜の表面電子構造が基板から周期的な変調作用を受けた結果現れている、というモデルを支持している。層状物質表面にSnやNa等の金属を微量吸着させた試料の測定では、STM像に、吸着によると思われる大きさ数nmの暗い班点状の模様が観察されたが、高分解能観察を行うと、その暗部の中でも、外側の明部と連続した原子像が観察された。このことは吸着した金属は表面にはとどまらずに内部に浸透し、その周辺に局在する電子構造の変調を引き起こしていると考えられる。トンネルスペクトルの測定では、フェルミ準位から+1.2Vの空準位において清浄表面のスペクトルには存在しないピークが観察されており、吸着金属原子による局所的電子構造の変化を裏付けている。
In this study, in order to improve the performance of the ultrathin film, the surface of the ultrathin film, In the fifth year of Pingcheng, all the companies in Pingcheng and STM have used the equipment to measure the quality of the equipment. The reason for this is the pursuit of basic metal ions, such as the formation of metal atoms, the absorption of metal atoms on the surface of the metal, the production of STM, and the determination of the temperature. The growth of the MoSe_2 ultrathin film on the MoS_2 substrate is based on the mechanical properties of the MoSe_2 ultrathin film, the growth of the MoSe_2 ultrathin film, the growth of the MoSe_2 ultra-thin film, the growth of the ultrathin film on the substrate, the determination of the temperature, the dark part of the light and the dark part of the device. The results of the experiment, the mechanical properties of the surface, the concavity and convexity of the surface, and the growth of the substrate cycle of the ultra-thin film surface electronics are affected by the results of the experiments. On the surface of the material, such as Sn, Na, etc., the metal absorbs trace amounts of the material, the STM image, the absorption of the nm, the dot mode, the high decomposition energy, the dark part, the middle part, the outer part, the atomic image. The surface of the metal is soaked in water, and the weekly bureau is in charge of the electrical engineering of the electric machine. The system is used to determine the accuracy of the measurement, the calibration is + 1.2V, the clearance of the surface is very sensitive, and the electrons that absorb the metal atoms are used to make the electronic equipment.

项目成果

期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Mori,H.Abe,K.Saiki,A.Koma: "Characterization of epitaxial films of layered materials using Moire images of scanning tunneling microscope." Japanese Journal of Applied Physics. 32. 2945-2949 (1993)
T.Mori、H.Abe、K.Saiki、A.Koma:“使用扫描隧道显微镜的莫尔图像表征层状材料的外延膜。”
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Shimad,F.S.Ohuchi,A.Koma: "Polytypes and charge density waves of ultrathin TaS_2 films grown by van der Waals epitaxy." Surface Science. 291. 57-66 (1993)
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  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Y.Liu,K.Ueno,Y.Fujikawa,K.Saiki,A.Koma: "Heteroepitaxial growth of layered semiconductor GaSe on a hydrogen-terminated Si(III)Surface." Japanese Journal of Applied Physics.32. L434-L437 (1993)
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  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Shimada,F.S.Ohuchi,A.Koma: "Molecular beam epitaxy of SnSe_2:chemistry and electronic properties of interfaces." Japanese Journal of Applied Physics. 32. 1182-1185 (1993)
T.Shimada,F.S.Ohuchi,A.Koma:“SnSe_2 的分子束外延:界面的化学和电子特性。”
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