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原子モアレ変調構造の走査トンネル分光

原子モアレ変調構造の走査トンネル分光
原子莫尔调制结构的扫描隧道光谱
批准号：
05245203
负责人：
小間 篤
金额：
$2.37万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1993
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1993 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-05245203/
关键词：
ファンデアワールス・エピタキシー層状物質モアレ変調構造走査トンネル分光ヘテロエピタキシー表面電子帯構造

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项目成果

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本研究は、ファンデアワールス・エピタキシー法によって作製された層状物質による超薄膜ヘテロ構造表面の、走査型トンネル顕微鏡(STM)像に現れる、長周期モアレ変調構造の微視的解明を目標としている。平成5年度は、モアレ変調構造の各所において、STMを用いたトンネルスペクトルの測定を進めた。その一方で、モアレ変調構造の起因を追求するための基礎データとして、層状物質表面そのもの、及び極微量の金属原子を吸着させた層状物質表面の電子帯構造のSTM、トンネルスペクトル測定を行った。MoS_2基板上にMoSe_2超薄膜を単結晶ヘテロ成長した試料のモアレ変調構造のトンネルスペクトル測定では、変調構造の明部と暗部の電子帯構造に、明らかな差異があることが確認された。この結果は、モアレ変調構造が、単純な表面の凹凸ではなく、成長した超薄膜の表面電子構造が基板から周期的な変調作用を受けた結果現れている、というモデルを支持している。層状物質表面にSnやNa等の金属を微量吸着させた試料の測定では、STM像に、吸着によると思われる大きさ数nmの暗い班点状の模様が観察されたが、高分解能観察を行うと、その暗部の中でも、外側の明部と連続した原子像が観察された。このことは吸着した金属は表面にはとどまらずに内部に浸透し、その周辺に局在する電子構造の変調を引き起こしていると考えられる。トンネルスペクトルの測定では、フェルミ準位から+1.2Vの空準位において清浄表面のスペクトルには存在しないピークが観察されており、吸着金属原子による局所的電子構造の変化を裏付けている。
期刊论文(8)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
T.Mori,H.Abe,K.Saiki,A.Koma: "Characterization of epitaxial films of layered materials using Moire images of scanning tunneling microscope." Japanese Journal of Applied Physics. 32. 2945-2949 (1993)
T.Mori、H.Abe、K.Saiki、A.Koma：“使用扫描隧道显微镜的莫尔图像表征层状材料的外延膜。”
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
T.Shimad,F.S.Ohuchi,A.Koma: "Polytypes and charge density waves of ultrathin TaS_2 films grown by van der Waals epitaxy." Surface Science. 291. 57-66 (1993)
T.Shimad、F.S.Ohuchi、A.Koma：“范德华外延生长的超薄 TaS_2 薄膜的多型和电荷密度波。”
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
K.Y.Liu,K.Ueno,Y.Fujikawa,K.Saiki,A.Koma: "Heteroepitaxial growth of layered semiconductor GaSe on a hydrogen-terminated Si(III)Surface." Japanese Journal of Applied Physics.32. L434-L437 (1993)
K.Y.Liu、K.Ueno、Y.Fujikawa、K.Saiki、A.Koma：“在氢封端的 Si(III) 表面上异质外延生长层状半导体 GaSe。”
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
T.Shimada,F.S.Ohuchi,A.Koma: "Molecular beam epitaxy of SnSe_2:chemistry and electronic properties of interfaces." Japanese Journal of Applied Physics. 32. 1182-1185 (1993)
T.Shimada，F.S.Ohuchi，A.Koma：“SnSe_2 的分子束外延：界面的化学和电子特性。”
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
フラーレンおよびその化合物のヘテロ構造化による新物性の探求
  • 批准号：
    11165212
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $2.37万
  • 财政年份：
    1999
  • 负责人：
    小間 篤
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
ヘテロ素構造の高次組織化による新機能発現
  • 批准号：
    07241102
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $65.15万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    小間 篤
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
ファンデアワールス・エピタキシ-法によるフラーレン超薄膜の作製とのその物性の解明
  • 批准号：
    06224206
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.09万
  • 财政年份：
    1994
  • 负责人：
    小間 篤
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
原子モアレ変調構造の走査トンネル分光
  • 批准号：
    06236204
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    1994
  • 负责人：
    小間 篤
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
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