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Development of SiC MOSFETs with High Channel Mobility by Incorporation of New Interface Passivation Elements
通过结合新型界面钝化元素开发具有高沟道迁移率的 SiC MOSFET
基本信息
- 批准号：26820136
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Demonstration of High Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Utilizing Boron-Doped Gate Oxide
利用掺硼栅极氧化物演示 4H-SiC MOSFET 的高沟道迁移率
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：D. Okamoto;M. Sometani;S. Harada;R. Kosugi;Y. Yonezawa;and H. Yano
- 通讯作者：and H. Yano
Improved Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Boron Passivation
- DOI：10.1109/led.2014.2362768
- 发表时间：2014-12-01
- 期刊：
- 影响因子：4.9
- 作者：Okamoto, Dai;Sometani, Mitsuru;Yano, Hiroshi
- 通讯作者：Yano, Hiroshi
B導入による高移動度4H-SiC MOSFETの作製と界面トラップ評価
通过引入B制造高迁移率4H-SiC MOSFET并评估界面陷阱
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：D. Okamoto;M. Sometani;S. Harada;R. Kosugi;Y. Yonezawa;and H. Yano;岡本 大，染谷 満，原田信介，小杉亮治，米澤喜幸，矢野裕司
- 通讯作者：岡本 大，染谷 満，原田信介，小杉亮治，米澤喜幸，矢野裕司
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Okamoto Dai其他文献
Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method
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- 影响因子：1.5
- 作者：
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界面处的偶极子散射：SiC MOSFET 中观察到的低迁移率的根源
- DOI：
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- 影响因子：3.2
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p 沟道 4H-SiC MOSFET 氧化物漏电流的传导机制
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- 影响因子：1.5
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Yano Hiroshi
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- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
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17J04659 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
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- 批准号：
15F15725 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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基于理解4H-SiC热氧化界面结构的高性能MOSFET材料设计
- 批准号：
15J10704 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高性能ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの実現に向けた界面物性及びキャリア散乱機構の基礎研究
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- 批准号：
15J04823 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
超高速ＭＯＳＦＥＴ実現に向けたゲルマニウムスズ選択成長および局所歪技術の確立
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- 批准号：
14J10705 - 财政年份：2014
- 资助金额：
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采用先进栅极堆叠工艺开发高可靠性 SiC-MOSFET
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14F04359 - 财政年份：2014
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