Development of SiC MOSFETs with High Channel Mobility by Incorporation of New Interface Passivation Elements
Development of SiC MOSFETs with High Channel Mobility by Incorporation of New Interface Passivation Elements
通过结合新型界面钝化元素开发具有高沟道迁移率的 SiC MOSFET
批准号：
26820136
负责人：
Okamoto Dai
金额：
$2.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
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Demonstration of High Channel Mobility in 4H-SiC MOSFETs by Utilizing Boron-Doped Gate Oxide
利用掺硼栅极氧化物演示 4H-SiC MOSFET 的高沟道迁移率
利用掺硼栅极氧化物演示 4H-SiC MOSFET 的高沟道迁移率
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[D. Okamoto, M. Sometani, S. Harada, R. Kosugi, Y. Yonezawa, and H. Yano]
通讯作者：
and H. Yano
DOI：
10.1109/led.2014.2362768
发表时间：
2014-12-01
期刊：
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
影响因子：
4.9
作者：
[Okamoto, Dai, Sometani, Mitsuru, Yano, Hiroshi]
通讯作者：
Yano, Hiroshi
B導入による高移動度4H-SiC MOSFETの作製と界面トラップ評価
通过引入B制造高迁移率4H-SiC MOSFET并评估界面陷阱
通过引入B制造高迁移率4H-SiC MOSFET并评估界面陷阱
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[D. Okamoto, M. Sometani, S. Harada, R. Kosugi, Y. Yonezawa, and H. Yano, 岡本 大，染谷 満，原田信介，小杉亮治，米澤喜幸，矢野裕司]
通讯作者：
岡本 大，染谷 満，原田信介，小杉亮治，米澤喜幸，矢野裕司
Tailoring the dierectric-SiC Interface using a new oxidation procedure with precursors and its application to MOSFETs
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批准号：17K14653
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2017
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负责人：Okamoto Dai
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依托单位：
海外基金
