高耐圧用ダイヤモンドMOSFETの作製
高压金刚石MOSFET的制造
基本信息
- 批准号:15F15725
- 负责人:
- 金额:$ 1.47万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
- 财政年份:2015
- 资助国家:日本
- 起止时间:2015-07-29 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
ダイヤモンドPINダイオードの電界緩和構造の設計を行うことを目的とした。他半導体と異なり、ダイヤモンドにおいてはイオン注入が行うことが困難である。これは、イオン注入に伴う、欠陥発生が熱処理において除去することができないことが原因である。このダイヤモンドデバイス作製プロセスの特殊性を鑑み、製膜とエッチングにおいて可能な電界緩和構造の設計を行った。1)N層横に異なるリン濃度層を作る構造→1020cm-3のリン濃度の横に1018cm-3のN型ダイヤモンド、さらにその横に5x1017cm-3のN型ダイヤモンドを作りつける構造を作成し、その電界強度を見積もった。その結果、20MV/cmの電界強度が、10 MV/cmとなり、二つのN型ダイヤモンドを用いた時には、6 MV/cmまで低減できることが分かった。2)N層とI層の間に低いリン濃度のN層を入れ込む構造→1020cm-3のリン濃度のN層の下に1018cm-3のN型ダイヤモンド層、さらには5x1017cm-3のN型ダイヤモンド層を挿入し、低濃度ほど広い面積を持ち、1020cm-3のリン濃度の高濃度N層直上に電極を設ける構造をとった。この構造の場合には、1層の場合には、挟まなかった場合の20MV/cmが6MV/cmまで下がり、さらに、2層挿入した場合には5MV/cmまで下がることが分かった。1)と2)を比較すると、ダイヤモンドデバイス作製プロセスにおいて2)が作製上簡単であり、有効であることがわかった。今後この構造において、ダイヤモンドの材料として持つ高い絶縁耐圧をデバイスとして直接証明していきたいと考えている。
ダ イ ヤ モ ン ド PIN ダ イ オ ー ド の electricity industry moderate line structure design を の う こ と を purpose と し た. He semiconductor と different な り, ダ イ ヤ モ ン ド に お い て は イ オ ン injection line が う こ と が difficult で あ る. こ れ は, イ オ ン injection に う, owe 陥 発 raw が hot 処 Richard に お い て remove す る こ と が で き な い こ と が reason で あ る. こ の ダ イ ヤ モ ン ド デ バ イ ス cropping プ ロ セ ス の particularity を み, the membrane と エ ッ チ ン グ に お い て may な electrical boundary line moderate structural design を の っ た. 1) N layer transverse に different な る リ ン concentration layer を as る structure - 1020 cm - 3 の リ ン concentration の transverse に 1018 cm - 3 の n-type ダ イ ヤ モ ン ド, さ ら に そ の transverse に x1017cm 5-3 の n-type ダ イ ヤ モ ン ド を as り つ け る tectonic を し, consummate そ の electricity industry strength を see product も っ た. そ の results, 20 MV/cm が の electricity industry strength, 10 MV/cm と な り, two つ の n-type ダ イ ヤ モ ン ド を with い た when に は, 6 MV/cm ま で low cut で き る こ と が points か っ た. 2) N と I layer between の に low い リ ン concentration の n-tier を into れ 込 む structure - 1020 cm - 3 の リ ン concentration の n-tier の に under 1018 cm - 3 の n-type ダ イ ヤ モ ン ド layer, さ ら に は x1017cm 5-3 の n-type ダ イ ヤ モ ン ド layer を scions into し, low concentration ほ ど hiroo い area を hold ち, 1020 cm - 3 の リ ン concentration A <s:1> high-concentration n-layer directly upward に electrode を is set with a ける structure をとった. こ の tectonic の occasions に は, 1 layer の に は, carry ま な か っ た occasions の 20 mv/cm が 6 mv/cm ま で under が り, さ ら に, 2 layer scions into し た occasions に は 5 mv/cm ま で under が る こ と が points か っ た. 1) と 2) を compare す る と, ダ イ ヤ モ ン ド デ バ イ ス cropping プ ロ セ ス に お い て Jane on the 2) が cropping 単 で あ り, unseen で あ る こ と が わ か っ た. The future こ の tectonic に お い て, ダ イ ヤ モ ン ド の material と し て high hold つ い never try 圧 を デ バ イ ス と し て directly prove し て い き た い と exam え て い る.
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Dynamic breakdown of diamond pin diode
金刚石pin二极管的动态击穿
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. Traore;A. Nakajima;T. Makino;D. Kuwabara;H. Kato;M. Ogura;D. Takeuchi;And S. Yamasaki
- 通讯作者:And S. Yamasaki
Dynamic properties of diamond high voltage p-i-n diodes
- DOI:10.7567/jjap.56.04cr14
- 发表时间:2017-04-01
- 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:Traore, Aboulaye;Nakajima, Akira;Yamasaki, Satoshi
- 通讯作者:Yamasaki, Satoshi
Reverse-Recovery of Diamond pin Diode
菱形针二极管的反向恢复
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. Traore;A. Nakajima;T. Makino;D. Kuwabara;H. Kato;M. Ogura;D. Takeuchi;S. Yamasaki
- 通讯作者:S. Yamasaki
Effect of n- and p-type doping concentrations and compensation on the electrical properties of semiconducting diamond
n型和p型掺杂浓度及补偿对半导体金刚石电性能的影响
- DOI:10.1002/pssa.201600407
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. Traore;S. Koizumi;and J. Pernot
- 通讯作者:and J. Pernot
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
山崎 聡其他文献
Necessary Condition for Development of High Efficiency, High Density and High Speed Motor
发展高效率、高密度、高速电机的必要条件
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
清水 麻希;牧野 俊晴;加藤 宙光;藤原 正規;岩崎 孝之;山崎 聡;水落 憲和;波多野 睦子;Hitoshi Tabata;Masato Enokizono - 通讯作者:
Masato Enokizono
「特集 代謝疾患と精神神経疾患の交点(サイコメタボリズム)「脳内炎症と過食・動物性脂肪依存」」
“专题:代谢疾病与神经精神疾病的交叉点(精神代谢)“脑内炎症和暴饮暴食/动物脂肪依赖”
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
益崎裕章;岡本士毅;山崎 聡 - 通讯作者:
山崎 聡
未治療多発性骨髄腫に対するMPB療法変法のランダム化第II相試験(JCOG1105最終解析)
改良 MPB 疗法治疗未经治疗的多发性骨髓瘤的随机 II 期试验(JCOG1105 最终分析)
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
飯田真介;丸山 大;町田龍之介;楠本 茂;福原規子;山内寛彦;宮崎香奈;吉満 誠;黒田純也;塚本憲史;辻村秀樹;半下石 明;山内高弘;内海貴彦;水野石一;高松 泰;永田泰之;皆内康一郎;大塚英一;花村一朗;鈴木康裕;吉田真一郎;山崎 聡;末廣陽子;神山祐太郎;渡部裕子;飛内賢正;塚崎邦弘;永井宏和 - 通讯作者:
永井宏和
造血幹細胞の未分化性維持と応用
未分化造血干细胞的维持与应用
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Kon Ayana;Yamazaki Satoshi;Nannya Yasuhito;Kataoka Keisuke;Ota Yasunori;Nakagawa Masahiro Marshall;Yoshida Kenichi;Shiozawa Yusuke;Morita Maiko;Yoshizato Tetsuichi;Sanada Masashi;Nakayama Manabu;Koseki Haruhiko;Nakauchi Hiromitsu;Ogawa Seishi;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡 - 通讯作者:
山崎 聡
移植を用いない造血幹細胞の動態と機能解析方法の確立
无需移植的造血干细胞动态和功能分析方法的建立
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Kon Ayana;Yamazaki Satoshi;Nannya Yasuhito;Kataoka Keisuke;Ota Yasunori;Nakagawa Masahiro Marshall;Yoshida Kenichi;Shiozawa Yusuke;Morita Maiko;Yoshizato Tetsuichi;Sanada Masashi;Nakayama Manabu;Koseki Haruhiko;Nakauchi Hiromitsu;Ogawa Seishi;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎 聡;山崎聡;山崎聡;山崎聡;山崎聡;山崎聡;山崎聡;山崎聡;山崎聡 - 通讯作者:
山崎聡
山崎 聡的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('山崎 聡', 18)}}的其他基金
微視的および巨視的解析系を用いた造血幹細胞における階層性と多様性の解明
使用微观和宏观分析系统阐明造血干细胞的层次结构和多样性
- 批准号:
24K02478 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Clinical trials for older patients with lymphoma
老年淋巴瘤患者的临床试验
- 批准号:
22K12887 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Establishment of next-generation gene therapy using human hematopoietic stem cell expansion system
利用人类造血干细胞扩增系统建立下一代基因治疗
- 批准号:
21F21108 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ピグー倫理思想の通時的、包括的研究
庇古伦理思想的历时综合研究
- 批准号:
20K01577 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
ピグーの理想的功利主義の構造と厚生経済学
庇古理想功利主义与福利经济学的结构
- 批准号:
03J08453 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
相似海外基金
パワーデバイス応用に向けたGaNの点欠陥制御および絶縁膜界面制御の第一原理計算
功率器件应用中GaN点缺陷控制和绝缘膜界面控制的第一性原理计算
- 批准号:
24K08270 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Si基板上GaN縦型パワーデバイスの低抵抗および高耐圧化に関する研究
硅衬底低阻高击穿GaN垂直功率器件研究
- 批准号:
23K26158 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
高性能・高信頼パワーデバイスに向けたGaN MOS界面近傍欠陥の起源解明
阐明高性能、高可靠功率器件中 GaN MOS 界面附近缺陷的来源
- 批准号:
24KJ0142 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
トポロジー最適化を用いた縦型GaNパワーデバイスの構造設計技術
采用拓扑优化的垂直GaN功率器件结构设计技术
- 批准号:
24K07597 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
WBGパワーデバイスに向けた新規Ag/Cu接合材料の低温低圧大面積実装技術の開発
WBG功率器件新型Ag/Cu键合材料低温、低压、大面积安装技术开发
- 批准号:
24KJ0162 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
強誘電性κ-Ga2O3の超低消費電力パワーデバイスの開拓
利用铁电κ-Ga2O3开发超低功耗功率器件
- 批准号:
23K22797 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
パワーデバイス劣化機構の解明に向けた格子欠陥のオペランド観察技術の開発
开发晶格缺陷原位观察技术以阐明功率器件劣化机制
- 批准号:
23K26565 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ダイヤモンド・パワーデバイスの内部歪み・ストレスのデバイス性能・信頼性への影響解明
阐明金刚石功率器件的内应变和应力对器件性能和可靠性的影响
- 批准号:
24K07456 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
低損失GaNパワーIC実現に向けた高電圧ストレスによる破壊メカニズムの研究
高压应力击穿机理研究,实现低损耗GaN功率IC
- 批准号:
23H01469 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
パワー半導体デバイスの寿命と性能を最大限活かせる駆動回路設計手法の確立
建立最大化功率半导体器件寿命和性能的驱动电路设计方法
- 批准号:
23K13313 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.47万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists