Tailoring the dierectric-SiC Interface using a new oxidation procedure with precursors and its application to MOSFETs
Tailoring the dierectric-SiC Interface using a new oxidation procedure with precursors and its application to MOSFETs
使用新的前驱体氧化程序定制介电-SiC 界面及其在 MOSFET 中的应用
批准号：
17K14653
负责人：
Okamoto Dai
金额：
$2.75万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements
通过霍尔效应测量研究 p 沟道 4H-SiC MOSFET 中的迁移率限制机制
通过霍尔效应测量研究 p 沟道 4H-SiC MOSFET 中的迁移率限制机制
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[X. Zhou, D. Okamoto, T. Hatakeyama, M. Sometani, S. Harada, X. Zhang, N. Iwamuro, and H. Yano]
通讯作者：
and H. Yano
Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
4H-SiC p 沟道 MOSFET 中精确的沟道迁移率提取和散射机制
4H-SiC p 沟道 MOSFET 中精确的沟道迁移率提取和散射机制
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Xingyan Zhou, Dai Okamoto, Xufang Zhang, Mitsuru Sometani, Mitsuo Okamoto, Shinsuke Harada, Noriyuki Iwamuro, Hirosi Yano]
通讯作者：
Hirosi Yano
SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
SiC p沟道MOSFET空穴传输机理分析
SiC p沟道MOSFET空穴传输机理分析
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岡本大, 周星炎, 張旭芳, 染谷満, 岡本光央, 畠山哲夫, 原田信介, 岩室憲幸, 矢野裕司]
通讯作者：
矢野裕司
On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET 負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
使用动态电荷泵方法对 SiC MOSFET 负偏压期间的界面陷阱生成进行分析
使用动态电荷泵方法对 SiC MOSFET 负偏压期间的界面陷阱生成进行分析
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[岡本 大, 染谷 満, 坂田 大輝, 張 旭芳, 松谷 優汰, 畠山 哲夫, 岡本 光央, 原田 信介, 矢野 裕司, 岩室 憲幸]
通讯作者：
岩室 憲幸
高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
使用快速无松弛法评估p沟道4H-SiC MOSFET的阈值电压波动
使用快速无松弛法评估p沟道4H-SiC MOSFET的阈值电压波动
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[坂田大輝, 岡本大, 染谷満, 岡本光央, 原田信介, 畠山哲夫, 根本宏樹, 張旭芳, 岩室憲幸, 矢野裕司]
通讯作者：
矢野裕司
共 9 条
Development of SiC MOSFETs with High Channel Mobility by Incorporation of New Interface Passivation Elements
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批准号：26820136
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2014
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负责人：Okamoto Dai
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依托单位：
海外基金