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Tailoring the dierectric-SiC Interface using a new oxidation procedure with precursors and its application to MOSFETs
使用新的前驱体氧化程序定制介电-SiC 界面及其在 MOSFET 中的应用
基本信息
- 批准号：17K14653
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（8）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Mobility limiting mechanisms in p-channel 4H-SiC MOSFETs investigated by Hall-effect measurements
通过霍尔效应测量研究 p 沟道 4H-SiC MOSFET 中的迁移率限制机制
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：X. Zhou;D. Okamoto;T. Hatakeyama;M. Sometani;S. Harada;X. Zhang;N. Iwamuro;and H. Yano
- 通讯作者：and H. Yano
Accurate Channel Mobility Extraction and Scattering Mechanisms in 4H-SiC p-Channel MOSFETs
4H-SiC p 沟道 MOSFET 中精确的沟道迁移率提取和散射机制
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Xingyan Zhou;Dai Okamoto;Xufang Zhang;Mitsuru Sometani;Mitsuo Okamoto;Shinsuke Harada;Noriyuki Iwamuro;Hirosi Yano
- 通讯作者：Hirosi Yano
SiC pチャネルMOSFETの正孔輸送機構の解析
SiC p沟道MOSFET空穴传输机理分析
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：岡本大;周星炎;張旭芳;染谷満;岡本光央;畠山哲夫;原田信介;岩室憲幸;矢野裕司
- 通讯作者：矢野裕司
On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET 負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
使用动态电荷泵方法对 SiC MOSFET 负偏压期间的界面陷阱生成进行分析
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：岡本 大;染谷 満;坂田 大輝;張 旭芳;松谷 優汰;畠山 哲夫;岡本 光央;原田 信介;矢野 裕司;岩室 憲幸
- 通讯作者：岩室 憲幸
高速緩和なし法によるpチャネル4H-SiC MOSFETのしきい値電圧変動評価
使用快速无松弛法评估p沟道4H-SiC MOSFET的阈值电压波动
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：坂田大輝;岡本大;染谷満;岡本光央;原田信介;畠山哲夫;根本宏樹;張旭芳;岩室憲幸;矢野裕司
- 通讯作者：矢野裕司
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Okamoto Dai其他文献
Accurate determination of threshold voltage shift during negative gate bias stress in 4H-SiC MOSFETs by fast on-the-fly method
通过快速即时方法准确确定 4H-SiC MOSFET 负栅极偏置应力期间的阈值电压偏移
- DOI：
10.35848/1347-4065/abff38 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Sakata Hiroki;Okamoto Dai;Sometani Mitsuru;Okamoto Mitsuo;Hirai Hirohisa;Harada Shinsuke;Hatakeyama Tetsuo;Yano Hiroshi;Iwamuro Noriyuki - 通讯作者：
Iwamuro Noriyuki
Dipole scattering at the interface: The origin of low mobility observed in SiC MOSFETs
界面处的偶极子散射：SiC MOSFET 中观察到的低迁移率的根源
- DOI：
10.1063/5.0086172 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：
Hatakeyama Tetsuo;Hirai Hirohisa;Sometani Mitsuru;Okamoto Dai;Okamoto Mitsuo;Harada Shinsuke - 通讯作者：
Harada Shinsuke
Conduction mechanisms of oxide leakage current in p-channel 4H-SiC MOSFETs
p 沟道 4H-SiC MOSFET 氧化物漏电流的传导机制
- DOI：
10.35848/1347-4065/ab7ddb - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Nemoto Hiroki;Okamoto Dai;Zhang Xufang;Sometani Mitsuru;Okamoto Mitsuo;Hatakeyama Tetsuo;Harada Shinsuke;Iwamuro Noriyuki;Yano Hiroshi - 通讯作者：
Yano Hiroshi
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Development of SiC MOSFETs with High Channel Mobility by Incorporation of New Interface Passivation Elements
通过结合新型界面钝化元素开发具有高沟道迁移率的 SiC MOSFET
- 批准号：
26820136 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
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相似海外基金
炭化珪素及びタングステンハイブリッド繊維強化高靭性タングステン複合材料の開発
碳化硅与钨杂化纤维增强高韧性钨复合材料的研制
- 批准号：
23K20837 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
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オーム性接触形成メカニズム解明に向けた金属/炭化珪素界面に関する基礎研究
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- 批准号：
22KJ1709 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
炭化珪素接合型電界効果トランジスタによる相補型論理とアナログ回路の高温動作実証
使用碳化硅结场效应晶体管演示互补逻辑和模拟电路的高温运行
- 批准号：
22KJ2013 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
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炭化珪素半導体MOS界面科学と界面設計指針の再構築
重构碳化硅半导体MOS接口科学及接口设计指南
- 批准号：
21K18170 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
炭化珪素及びタングステンハイブリッド繊維強化高靭性タングステン複合材料の開発
碳化硅与钨混合纤维增强高韧性钨复合材料的研制
- 批准号：
21H01063 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
炭化珪素デバイスの高速スイッチング特性に注目したMHz級高周波電力変換器
MHz级高频功率转换器，专注于碳化硅器件的高速开关特性
- 批准号：
18K13802 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
点欠陥・界面準位の低減による超高性能炭化珪素バイポーラトランジスタの実現
通过减少点缺陷和界面态实现超高性能碳化硅双极晶体管
- 批准号：
13J06044 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
炭化珪素半導体の高電界物性の解明と超高耐圧パワーデバイスへの応用
碳化硅半导体高场物理特性解析及其在超高压功率器件中的应用
- 批准号：
13J06049 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高移動度側壁チャネルの活用による高性能・低損失炭化珪素MOSデバイスの作製
利用高迁移率侧壁沟道制造高性能、低损耗碳化硅MOS器件
- 批准号：
10J03889 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
超低損失電力素子実現に向けた炭化珪素における点欠陥の物性解明と制御法の確立
阐明碳化硅点缺陷的物理性质并建立实现超低损耗功率器件的控制方法
- 批准号：
10J05621 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows