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Research on unusual antiferromagnetic order in Kondo semiconductor and exploring of novel ordered phase in low-symmetry structure

近藤半导体异常反铁磁有序研究及低对称结构新型有序相探索

基本信息

批准号：
26800188
负责人：
Tanida Hiroshi
金额：
$ 2.5万
依托单位：
Hiroshima University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26800188/
关键词：
強相関電子系近藤半導体反強磁性秩序圧力効果新奇秩序磁性

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Ce(RuxRh1-x)2Al10の圧力効果

Ce(RuxRh1-x)2Al10的压力效应

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
谷田博司,中川史也;吉田康介;松村武;世良正文,北川健太郎,西岡孝,松村政博
通讯作者：
世良正文,北川健太郎,西岡孝,松村政博

Collapse of Anisotropic Hybridization Gap below 20 K in Kondo Semiconductor CeFe2Al10 by Pressure and Magnetic Field

压力和磁场作用下近藤半导体 CeFe2Al10 中各向异性杂化能隙在 20 K 以下崩溃

DOI：
10.7566/jpsj.83.084708
发表时间：
2014
期刊：
J. Phys. Soc. Jpn.
影响因子：
0
作者：
H. Tanida;M. Nakamura;M. Sera;A. Kondo;K. Kindo;T. Nishioka;and M. Matsumura
通讯作者：
and M. Matsumura

CeRu2Al10におけるCe-, Ru-サイト置換効果

CeRu2Al10 中 Ce、Ru 位点的替代效应

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
中川史也;谷田博司;松村武;世良正文;西岡孝;松村政博
通讯作者：
松村政博

Collapse of anisotropic hybridization gap in Kondo semiconductor CeT2Al10 (T=Fe, Ru) by substitution, pressure, and magnetic field

近藤半导体 CeT2Al10 (T=Fe, Ru) 中各向异性杂化能隙因取代、压力和磁场而崩溃

DOI：
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
0
作者：
Hiroshi Tanida;Michio Nakamura;Masafumi Sera;Akihiro Kondo;Koichi Kindo;Takashi Nishioka;Masahiro Matsumura
通讯作者：
Masahiro Matsumura

TbT2Al10(T=Fe,Ru)のベクトル磁化測定

TbT2Al10 (T=Fe,Ru) 的矢量磁化强度测量

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
赤津光洋;三本啓輔;根本祐一;後藤輝孝;土塔寛;広瀬雄介;摂待力生;本多史憲;青木大;西岡孝，加藤治一，松村政博，谷田博司，世良正文
通讯作者：
西岡孝，加藤治一，松村政博，谷田博司，世良正文

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作者：
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坂井礼文

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影响因子：
1.7
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通讯作者：
Harima Hisatomo