Development of fundamental crystal growth technology of In-based nitride alloy semiconductors

In基氮化物合金半导体晶体生长基础技术开发

基本信息

  • 批准号:
    25706020
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 14.98万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
InN および In-rich InGaN をベースとした窒化物半導体による長波長発光デバイス開発への挑戦
使用基于InN和富InGaN的氮化物半导体开发长波长发光器件的挑战
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    名西やすし;山口智広;荒木努
  • 通讯作者:
    荒木努
Optical properties of GaInN p-n homojunction blue-green light-emitting-diodes
GaInN p-n同质结蓝绿光发光二极管的光学特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Onuma;K. Narutani;S. Fujioka;T. Yamaguchi;K. Wang;T. Araki;Y. Nanishi;L. Sang;M. Sumiya;T. Honda
  • 通讯作者:
    T. Honda
RF-MBE growth of GaInN films using DERI method and fabrication of p-n homojunction blue-green light-emitting diodes
DERI法RF-MBE生长GaInN薄膜及p-n同质结蓝绿光发光二极管的制作
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    T. Yamaguchi;K. Narutani;T. Onuma;T. Araki;T. Honda and Y. Nanishi
  • 通讯作者:
    T. Honda and Y. Nanishi
Inductively coupled plasma reactive ion etching of GaN and InN
GaN 和 InN 的感应耦合等离子体反应离子蚀刻
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Narutani;T. Yamaguchi;T. Araki;Y. Nanishi;T. Onuma;and T. Honda
  • 通讯作者:
    and T. Honda
RF-MBE法によるGaInN厚膜成長とpnホモ接合型LEDの製作
采用 RF-MBE 方法生长和制造 GaInN 厚膜 pn 同质结 LED
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    鳴谷 建人;山口 智広;Ke Wang;荒木 努;名西やすし;Liwen Sang;角谷 正友;藤岡 秀平;尾沼 猛儀;本田 徹
  • 通讯作者:
    本田 徹
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Oncologic impact of lateral lymph node metastasis at the distal lateral compartment in locally advanced low rectal cancer after neoadjuvant (chemo)radiotherapy
新辅助(化疗)放疗后局部晚期低位直肠癌远端侧室外侧淋巴结转移的肿瘤学影响
  • DOI:
    10.1016/j.ejso.2021.07.011
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Akiyoshi Takashi;Yamaguchi Tomohiro;Hiratsuka Makiko;Mukai Toshiki;Hiyoshi Yukiharu;Nagasaki Toshiya;Ueno Masashi;Fukunaga Yosuke;Konishi Tsuyoshi
  • 通讯作者:
    Konishi Tsuyoshi
In Situ Synchrotron X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping Measurements in the RF-MBE Growth of GaInN on GaN and InN
GaN 和 InN 上 GaInN RF-MBE 生长的原位同步加速器 X 射线衍射倒易空间映射测量
  • DOI:
    10.3390/cryst9120631
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.7
  • 作者:
    Yamaguchi Tomohiro;Sasaki Takuo;Fujikawa Seiji;Takahasi Masamitu;Araki Tsutomu;Onuma Takeyoshi;Honda Tohru;Nanishi Yasushi
  • 通讯作者:
    Nanishi Yasushi
A clinical potential of the anti-cancer drug sensitivity test for patients with endocrine cell carcinoma of the rectum : report of a case
直肠内分泌细胞癌患者抗癌药物敏感性试验的临床潜力:病例报告
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shimizu Tomoharu;Tatsuta Takeshi;Mekata Eiji;Miyake Tohru;Yamaguchi Tomohiro;Higashiguchi Takayuki;Murata Satoshi;Shiomi Hisanori;Ishida Mitsuaki;Tani Tohru
  • 通讯作者:
    Tani Tohru
大腸癌における尿中循環腫瘍DNAによるKRAS遺伝子発現の解析
利用尿循环肿瘤 DNA 分析结直肠癌中 KRAS 基因的表达
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kitagawa Yusuke;Akiyoshi Takashi;Yamamoto Noriko;Mukai Toshiki;Hiyoshi Yukiharu;Yamaguchi Tomohiro;Nagasaki Toshiya;Fukunaga Yosuke;Hirota Toru;Noda Tetsuo;Kawachi Hiroshi;太田竜
  • 通讯作者:
    太田竜
Training AIBO like a Dog
像狗一样训练 AIBO
  • DOI:
  • 发表时间:
    2004
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Seiji;Yamaguchi Tomohiro
  • 通讯作者:
    Yamaguchi Tomohiro

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    $ 14.98万
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    2020
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    $ 14.98万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    16K07320
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    2016
  • 资助金额:
    $ 14.98万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    16K00317
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    2016
  • 资助金额:
    $ 14.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Identification of key residues for control of the coupling between ATP hydrolysis and substrate transport of an ABC transporter
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  • 批准号:
    26840048
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 14.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

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对反应器设计进行实际改进,以提高氨分解速率,实现高质量高 In 含量 InGaN MOVPE 生长
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    2016
  • 资助金额:
    $ 14.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Thick and high quarity InGaN growth by THVPE
通过 THVPE 生长厚且高质量的 InGaN
  • 批准号:
    26246018
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 14.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
新規窒化物半導体共振器構造による光制御に関する研究
新型氮化物半导体谐振器结构光控制研究
  • 批准号:
    13J10877
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 14.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Liquid phase growth of nitride semiconductors by using plasma mixture of nitrogen and hydrogen
利用氮氢等离子体混合物液相生长氮化物半导体
  • 批准号:
    23560014
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 14.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study on light emitting diode for lighting controlling the luminous intensity distribution by nano-photonics structures
纳米光子结构控制发光强度分布的照明用发光二极管研究
  • 批准号:
    18360008
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 14.98万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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知道了