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Development of fundamental crystal growth technology of In-based nitride alloy semiconductors

Development of fundamental crystal growth technology of In-based nitride alloy semiconductors
In基氮化物合金半导体晶体生长基础技术开发
批准号：
25706020
负责人：
Yamaguchi Tomohiro
金额：
$14.98万
依托单位：
Kogakuin University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25706020/
关键词：
結晶成長窒化物半導体InGaN分子線エピタキシー（MBE）エピタキシャル成長電子・電気材料半導体物性MBE、エピタキシャル

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DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
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通讯作者： 荒木努
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DOI： --
发表时间： 2015
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通讯作者： and T. Honda
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DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Yamaguchi, K. Narutani, T. Onuma, T. Araki, T. Honda and Y. Nanishi]
通讯作者： T. Honda and Y. Nanishi
共 29 条
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    • 批准号：
      20K11946
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Yamaguchi Tomohiro
    • 依托单位：
      Nara National College of Technology
    Control of heterointerface region in the heteroepitaxial growth of In-based nitride semiconductors
    • 批准号：
      20K05348
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.75万
    • 财政年份：
      2020
    • 负责人：
      Yamaguchi Tomohiro
    • 依托单位：
      Kogakuin University
    The relationship between substrate-interaction and conformational change in the transport of ABC transporters
    • 批准号：
      16K07320
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.16万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Yamaguchi Tomohiro
    • 依托单位：
      Kyoto University
    Designing the autonomous learning system by the continuous reinforcement learning agent with the coach
    • 批准号：
      16K00317
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.91万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Yamaguchi Tomohiro
    • 依托单位：
      Nara National College of Technology
    海外基金