Control of heterointerface region in the heteroepitaxial growth of In-based nitride semiconductors

In基氮化物半导体异质外延生长中异质界面区域的控制

基本信息

  • 批准号:
    20K05348
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.75万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(25)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
GaN上GaInN膜成長初期のSi層挿入数に対する格子緩和過程の変化
GaN上GaInN薄膜初始生长过程中晶格弛豫过程随插入Si层数的变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    横山 晴香;山口 智広;佐々木 拓生;大野 颯一朗;木口 賢紀;比留川 大輝;藤川 誠司;高橋 正光;尾沼 猛儀;本田 徹
  • 通讯作者:
    本田 徹
緩和制御層上GaInN周期構造のRF-MBE成長と評価
弛豫控制层上 GaInN 周期性结构的 RF-MBE 生长和评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松田 真樹;吉田 涼介;田原 開悟;山口 智広;尾沼 猛儀;本田 徹
  • 通讯作者:
    本田 徹
赤色発光LEDの製作に向けた RF-MBEによる緩和制御層上GaInN周期構造の成長と評価
通过 RF-MBE 在弛豫控制层上生长和评估 GaInN 周期性结构,用于制造红光发射 LED
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松田 真樹;吉田 涼介;田原 開悟;山口 智広;尾沼 猛儀;本田 徹
  • 通讯作者:
    本田 徹
Power Supply Effective of Optical Wireless Power Transmission Systems Using Visible LEDs and Silicon Solar Cells
使用可见光 LED 和硅太阳能电池的光学无线电力传输系统的电源效率
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H. Yokoyama;T. Yamaguchi;T. Onuma;R. Yoshida;Y. Ushida;T. Honda
  • 通讯作者:
    T. Honda
Well width dependence on residual strain in high In composition GaInN/GaInN MQW by RF-MBE
通过 RF-MBE 测量高 In 成分 GaInN/GaInN MQW 中残余应变的阱宽依赖性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Tahara;J. Yamada;T. Yamaguchi;Y. Nanishi;T. Onuma;T. Honda;and K. Kishino
  • 通讯作者:
    and K. Kishino
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Oncologic impact of lateral lymph node metastasis at the distal lateral compartment in locally advanced low rectal cancer after neoadjuvant (chemo)radiotherapy
新辅助(化疗)放疗后局部晚期低位直肠癌远端侧室外侧淋巴结转移的肿瘤学影响
  • DOI:
    10.1016/j.ejso.2021.07.011
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Akiyoshi Takashi;Yamaguchi Tomohiro;Hiratsuka Makiko;Mukai Toshiki;Hiyoshi Yukiharu;Nagasaki Toshiya;Ueno Masashi;Fukunaga Yosuke;Konishi Tsuyoshi
  • 通讯作者:
    Konishi Tsuyoshi
In Situ Synchrotron X-ray Diffraction Reciprocal Space Mapping Measurements in the RF-MBE Growth of GaInN on GaN and InN
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  • DOI:
    10.3390/cryst9120631
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.7
  • 作者:
    Yamaguchi Tomohiro;Sasaki Takuo;Fujikawa Seiji;Takahasi Masamitu;Araki Tsutomu;Onuma Takeyoshi;Honda Tohru;Nanishi Yasushi
  • 通讯作者:
    Nanishi Yasushi
大腸癌における尿中循環腫瘍DNAによるKRAS遺伝子発現の解析
利用尿循环肿瘤 DNA 分析结直肠癌中 KRAS 基因的表达
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kitagawa Yusuke;Akiyoshi Takashi;Yamamoto Noriko;Mukai Toshiki;Hiyoshi Yukiharu;Yamaguchi Tomohiro;Nagasaki Toshiya;Fukunaga Yosuke;Hirota Toru;Noda Tetsuo;Kawachi Hiroshi;太田竜
  • 通讯作者:
    太田竜
A clinical potential of the anti-cancer drug sensitivity test for patients with endocrine cell carcinoma of the rectum : report of a case
直肠内分泌细胞癌患者抗癌药物敏感性试验的临床潜力:病例报告
  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Shimizu Tomoharu;Tatsuta Takeshi;Mekata Eiji;Miyake Tohru;Yamaguchi Tomohiro;Higashiguchi Takayuki;Murata Satoshi;Shiomi Hisanori;Ishida Mitsuaki;Tani Tohru
  • 通讯作者:
    Tani Tohru
進行膵癌集学的治療における術前血中KRAS遺伝子変異の新規バイオマーカーとしての有用性に関する検討
检查术前血液 KRAS 基因突变作为晚期胰腺癌多学科治疗新生物标志物的有效性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Emoto Shin;Fukunaga Yosuke;Nakanishi Ryota;Hirayama Kazuyoshi;Nagaoka Tomoyuki;Matsui Shimpei;Mukai Toshiki;Nagasaki Toshiya;Yamaguchi Tomohiro;Akiyoshi Takashi;Konishi Tsuyoshi;Nagayama Satoshi;Ueno Masashi;吉田 龍一
  • 通讯作者:
    吉田 龍一

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    2020
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    $ 2.75万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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    $ 2.75万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    16K00317
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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鉴定控制 ABC 转运蛋白 ATP 水解和底物转运之间耦合的关键残基
  • 批准号:
    26840048
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Development of fundamental crystal growth technology of In-based nitride alloy semiconductors
In基氮化物合金半导体晶体生长基础技术开发
  • 批准号:
    25706020
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)

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結晶格子の異なる基板上のインチ径ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長機構の学理
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  • 批准号:
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    $ 2.75万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
グラフェンを用いたヘテロエピタキシャル成長の改善
使用石墨烯改善异质外延生长
  • 批准号:
    24K01365
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    2024
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
立方晶窒化ホウ素のヘテロエピタキシャル成長を目指した新規プラズマプロセシング開発
开发针对立方氮化硼异质外延生长的新型等离子体处理技术
  • 批准号:
    03F00055
  • 财政年份:
    2003
  • 资助金额:
    $ 2.75万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ゼオライト薄膜のヘテロエピタキシャル成長による特殊反応場の構築
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  • 批准号:
    08232223
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
ファンデアワールス相互作用によるヘテロエピタキシャル成長と界面構造の解明
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  • 批准号:
    05211206
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
顕微ラマン分光によるヘテロエピタキシャル成長層の歪緩和の研究
使用显微拉曼光谱研究异质外延生长层的应变弛豫
  • 批准号:
    04227217
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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  • 批准号:
    04750246
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
ACプラズマアシストCVDによるβ-SiCのSiへのヘテロエピタキシャル成長
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  • 批准号:
    04650016
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
MBE法によるカルコパイライト型I-III-VI_2族化合物のヘテロエピタキシャル成長
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  • 批准号:
    04205118
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
MBE法によるカルコパライト型IーIIIーVI_2族化合物のヘテロエピタキシャル成長
MBE法异质外延生长I-III-VI_2型黄铜矿化合物
  • 批准号:
    02205105
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 2.75万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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知道了