Study of electrically driven quantum entanglement diode
Study of electrically driven quantum entanglement diode
电驱动量子纠缠二极管的研究
批准号：
26420320
负责人：
Nakaoka Toshihiro
金额：
$3.33万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
Photon correlation study of background suppressed single InGaN nanocolumns
背景抑制单InGaN纳米柱的光子相关研究
背景抑制单InGaN纳米柱的光子相关研究
DOI：
10.7567/jjap.55.04ek03
发表时间：
2016
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys
影响因子：
--
作者：
[Takatoshi,Yamamoto, Michiru Maekawa, Yusuke Imanishi, Shunsuke Ishizawa, Toshihiro Nakaoka, and Katsumi Kishino.]
通讯作者：
and Katsumi Kishino.
InGaN/GaNナノコラム局在状態からの直線偏光発光
InGaN/GaN 纳米柱局域态的线偏振光发射
InGaN/GaN 纳米柱局域态的线偏振光发射
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山本貴利, 前川未知瑠, 今西佑典, 関根清登, 石沢峻介, 中岡俊裕, 岸野克巳,]
通讯作者：
岸野克巳,
Effect of lateral electric field on the transition energies of neutral and charged excitons in In 0.5 Ga 0.5 As/GaAs quantum dots
横向电场对In 0.5 Ga 0.5 As/GaAs量子点中性和带电激子跃迁能的影响
横向电场对In 0.5 Ga 0.5 As/GaAs量子点中性和带电激子跃迁能的影响
DOI：
10.1103/physrevb.91.115306
发表时间：
2015
期刊：
PHYSICAL REVIEW B
影响因子：
3.7
作者：
[Toshio Saito, Toshihiro Nakaoka, and Yasuhiko Arakawa,]
通讯作者：
and Yasuhiko Arakawa,
InGaN/GaN多重量子井戸構造における局在状態からの発光特性
InGaN/GaN 多量子阱结构中局域态的发射特性
InGaN/GaN 多量子阱结构中局域态的发射特性
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[金城 一哉, 猪瀬 裕太, 江馬 一弘, 中岡 俊裕, 大音 隆男, 岸野 克巳,]
通讯作者：
岸野 克巳,
上智大学教員教育研究情報データベース
上智大学教师教育研究信息数据库
上智大学教师教育研究信息数据库
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
共 8 条
海外基金