Study of electrically driven quantum entanglement diode

电驱动量子纠缠二极管的研究

基本信息

  • 批准号：
    26420320
  • 负责人：
    Nakaoka Toshihiro
  • 金额：
    $ 3.33万
  • 依托单位：
    Sophia University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2014
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量（0）
专利数量（0）
Photon correlation study of background suppressed single InGaN nanocolumns
背景抑制单InGaN纳米柱的光子相关研究
  • DOI：
    10.7567/jjap.55.04ek03
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
    Jpn. J. Appl. Phys
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Takatoshi,Yamamoto; Michiru Maekawa;Yusuke Imanishi;Shunsuke Ishizawa;Toshihiro Nakaoka;and Katsumi Kishino.
  • 通讯作者：
    and Katsumi Kishino.
InGaN/GaNナノコラム局在状態からの直線偏光発光
InGaN/GaN 纳米柱局域态的线偏振光发射
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    山本貴利;前川未知瑠;今西佑典;関根清登;石沢峻介;中岡俊裕;岸野克巳,
  • 通讯作者：
    岸野克巳,
Effect of lateral electric field on the transition energies of neutral and charged excitons in In 0.5 Ga 0.5 As/GaAs quantum dots
横向电场对In 0.5 Ga 0.5 As/GaAs量子点中性和带电激子跃迁能的影响
  • DOI：
    10.1103/physrevb.91.115306
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
    PHYSICAL REVIEW B
  • 影响因子：
    3.7
  • 作者：
    Toshio Saito;Toshihiro Nakaoka;and Yasuhiko Arakawa,
  • 通讯作者：
    and Yasuhiko Arakawa,
InGaN/GaN多重量子井戸構造における局在状態からの発光特性
InGaN/GaN 多量子阱结构中局域态的发射特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    金城 一哉;猪瀬 裕太;江馬 一弘;中岡 俊裕;大音 隆男;岸野 克巳,
  • 通讯作者：
    岸野 克巳,
上智大学教員教育研究情報データベース
上智大学教师教育研究信息数据库
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
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Nakaoka Toshihiro其他文献

Amplification circuit using a frequency-multiplying Ge-Sb-Te thin film
使用倍频Ge-Sb-Te薄膜的放大电路
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yin Yifei;Xiang Jiawen;Park Hyoseong;Hayashi Hitoshi;Nakaoka Toshihiro
  • 通讯作者：
    Nakaoka Toshihiro
The K-Band Communication Transmitter/Receiver Powered by the C-Band HySIC Energy Harvester with Multi-Sensors
由具有多传感器的 C 波段 HySIC 能量收集器供电的 K 波段通信发射器/接收器
  • DOI：
    10.1109/ims30576.2020.9223930
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    2020 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS)
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yoshida Satoshi;Matsuura Kentaro;Kobuchi Daisuke;Yabuta Naoto;Nakaoka Toshihiro;Nishikawa Kenjiro;Kawasaki Shigeo
  • 通讯作者：
    Kawasaki Shigeo
Modulated conductive bridge memory characteristics by radio frequency input and non‐volatile switching of frequency multiplication
通过射频输入和倍频非易失性开关调制导电桥存储特性
  • DOI：
    10.1049/ell2.12601
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    Electronics Letters
  • 影响因子：
    1.1
  • 作者：
    Yin Yifei;Uchida Chihiro;Tsukamoto Keito;Hayashi Hitoshi;Nakaoka Toshihiro
  • 通讯作者：
    Nakaoka Toshihiro

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  • 批准号：
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  • 财政年份：
    2008
  • 资助金额：
    $ 3.33万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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  • 批准号：
    19918036
  • 财政年份：
    2007
  • 资助金额：
    $ 3.33万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Scientists
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