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Amorphous and crystalline GaNAs alloys for solar energy conversion devices

用于太阳能转换装置的非晶态和晶态 GaN 合金

基本信息

批准号：
EP/I00467X/1
负责人：
Robert Martin
金额：
$ 21.34万
依托单位：
University of Strathclyde
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2010
资助国家：
英国
起止时间：
2010 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FI00467X%2F1
关键词：
Amorphous crystalline GaNAs alloys solar

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前GtR中并没有提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但也可能是因为它包含敏感信息，如个人详细信息。

项目成果

期刊论文数量（10）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Intermixing studies in GaN1-xSbx highly mismatched alloys.

GaN1-xSbx 高度失配合金的混合研究。

DOI：
10.1364/ao.56.000b64
发表时间：
2017
期刊：
Applied optics
影响因子：
1.9
作者：
Sarney WL
通讯作者：
Sarney WL

Zinc-blende and wurtzite AlxGa1-xN bulk crystals grown by molecular beam epitaxy

分子束外延生长的闪锌矿和纤锌矿 AlxGa1-xN 块状晶体

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2011.12.028
发表时间：
2012
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
Novikov S
通讯作者：
Novikov S

Tellurium n-type doping of highly mismatched amorphous GaN1-As alloys in plasma-assisted molecular beam epitaxy

等离子体辅助分子束外延中高度失配非晶 GaN1-As 合金的碲 n 型掺杂

DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2014.06.042
发表时间：
2014
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
Novikov S
通讯作者：
Novikov S

Molecular beam epitaxy of highly mismatched N-rich GaN1-xSbx and InN1-xAsx alloys

高度失配富氮 GaN1-xSbx 和 InN1-xAsx 合金的分子束外延

DOI：
10.1116/1.4774028
发表时间：
2013
期刊：
Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
影响因子：
0
作者：
Novikov S
通讯作者：
Novikov S

Molecular beam epitaxy of GaN 1- x Bi x alloys with high bismuth content

高铋含量GaN 1- x Bi x 合金的分子束外延

DOI：
10.1002/pssa.201100312
发表时间：
2012
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
0
作者：
Novikov S
通讯作者：
Novikov S

DOI：
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DOI：
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DOI：
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DOI：
10.1016/j.compscitech.2023.110322
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2024-01-05
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影响因子：
9.800
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Dae Han Sung;Sagar M. Doshi;Andrew N. Rider;Evan Kimble;Robert Martin;Mohammad Tofayel Ahmed;Erik T. Thostenson
通讯作者：
Erik T. Thostenson