Nanoscale characterisation of nitride semiconductor thin films using EBSD, ECCI, CL and EBIC.
Nanoscale characterisation of nitride semiconductor thin films using EBSD, ECCI, CL and EBIC.
使用 EBSD、ECCI、CL 和 EBIC 对氮化物半导体薄膜进行纳米级表征。
批准号：
EP/J016101/1
负责人：
Michelle Moram
金额：
$2.11万
依托单位：
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2013
资助国家：
英国
项目状态：
已结题
起止时间：
2013 至 --
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.
期刊论文(7)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Dislocation core structures in (0001) InGaN
(0001) InGaN 中的位错核心结构
(0001) InGaN 中的位错核心结构
DOI：
10.1063/1.4942847
发表时间：
2016
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
[Rhode S]
通讯作者：
Rhode S
Dislocation core structures in Si-doped GaN
Si 掺杂 GaN 中的位错核心结构
Si 掺杂 GaN 中的位错核心结构
DOI：
10.1063/1.4937457
发表时间：
2015
期刊：
Applied Physics Letters
影响因子：
4
作者：
[Rhode S]
通讯作者：
Rhode S
Manufacturing R&D Facility: Electron Beam Epitaxy
-
批准号：EP/K024493/1
-
项目类别：Research Grant
-
资助金额：$7.79万
-
财政年份：2013
-
负责人：Michelle Moram
-
依托单位：
Multifunctional III-nitride materials
-
批准号：EP/I036052/1
-
项目类别：Research Grant
-
资助金额：$10.07万
-
财政年份：2011
-
负责人：Michelle Moram
-
依托单位：
海外基金
