Nanoscale characterisation of nitride semiconductor thin films using EBSD, ECCI, CL and EBIC.

使用 EBSD、ECCI、CL 和 EBIC 对氮化物半导体薄膜进行纳米级表征。

• 批准号: EP/J016101/1
• 负责人: Michelle Moram
• 金额: $ 2.11万
• 依托单位: Imperial College London
• 依托单位国家: 英国
• 项目类别: Research Grant
• 财政年份: 2013
• 资助国家: 英国
• 起止时间: 2013 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FJ016101%2F1
• 关键词: Nanoscale; characterisation; nitride; semiconductor; thin

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前GtR中并没有所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但也可能是因为摘要中包含个人详细信息等敏感信息。

项目成果

Dislocation core structures in (0001) InGaN

(0001) InGaN 中的位错核心结构

• DOI: 10.1063/1.4942847
• 发表时间: 2016
• 期刊: Journal of Applied Physics
• 影响因子: 3.2
• 作者: Rhode S

Dislocation core structures in Si-doped GaN

Si 掺杂 GaN 中的位错核心结构

• DOI: 10.1063/1.4937457
• 发表时间: 2015
• 期刊: Applied Physics Letters
• 影响因子: 4
• 作者: Rhode S