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High Performance Buffers for RF GaN Electronics

High Performance Buffers for RF GaN Electronics
适用于 RF GaN 电子器件的高性能缓冲器
批准号：
EP/N028848/1
负责人：
Paul Tasker
金额：
$31.85万
依托单位：
CARDIFF UNIVERSITY
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2016
资助国家：
英国
项目状态：
已结题
起止时间：
2016 至 --
来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FN028848%2F1
关键词：
PerformanceBuffersRFGaNElectronics

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Study of Drain Injected Breakdown Mechanisms in AlGaN/GaN-on-SiC HEMTs
AlGaN/GaN-on-SiC HEMT 漏极注入击穿机制研究
DOI： 10.1109/ted.2021.3138841
发表时间： 2022
期刊： IEEE Transactions on Electron Devices
影响因子： 3.1
作者： [Yang F]
通讯作者： Yang F
Non-linear (large signal) Millimetre-wave Devices, Circuits and Systems On-Wafer Characterization Facility
  • 批准号：
    EP/S01005X/1
  • 项目类别：
    Research Grant
  • 资助金额：
    $185.93万
  • 财政年份：
    2019
  • 负责人：
    Paul Tasker
  • 依托单位：
    CARDIFF UNIVERSITY
Integration of RF Circuits with High Speed GaN Switching on Silicon Substrates
  • 批准号：
    EP/N016408/1
  • 项目类别：
    Research Grant
  • 资助金额：
    $71.72万
  • 财政年份：
    2016
  • 负责人：
    Paul Tasker
  • 依托单位：
    CARDIFF UNIVERSITY
GaN Electronics: RF Reliability and Degradation Mechanisms
  • 批准号：
    EP/K02633X/1
  • 项目类别：
    Research Grant
  • 资助金额：
    $28.34万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    Paul Tasker
  • 依托单位：
    CARDIFF UNIVERSITY
Holistic Design of Power Amplifiers for Future Wireless Systems
  • 批准号：
    EP/F033702/1
  • 项目类别：
    Research Grant
  • 资助金额：
    $129.31万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    Paul Tasker
  • 依托单位：
    CARDIFF UNIVERSITY
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