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GaN Electronics: RF Reliability and Degradation Mechanisms

GaN Electronics: RF Reliability and Degradation Mechanisms
GaN 电子器件：射频可靠性和退化机制
批准号：
EP/K02633X/1
负责人：
Paul Tasker
金额：
$28.34万
依托单位：
CARDIFF UNIVERSITY
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2014
资助国家：
英国
项目状态：
已结题
起止时间：
2014 至 --
来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FK02633X%2F1
关键词：
GaNElectronicsRFReliabilityDegradation

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会议论文
Electroluminescence of hot electrons in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors under radio frequency operation
DOI： 10.1063/1.4921848
发表时间： 2015-05
期刊： Applied Physics Letters
影响因子： 4
作者： [T. Brazzini;M. Casbon;Huarui Sun;M. Uren;J. Lees;P. Tasker;H. Jung;H. Blanck;M. Kuball]
通讯作者： T. Brazzini;M. Casbon;Huarui Sun;M. Uren;J. Lees;P. Tasker;H. Jung;H. Blanck;M. Kuball
Study of hot electrons in AlGaN/GaN HEMTs under RF Class B and Class J operation using electroluminescence
使用电致发光研究 RF B 类和 J 类操作下 AlGaN/GaN HEMT 中的热电子
DOI： 10.1016/j.microrel.2015.09.023
发表时间： 2015
期刊： Microelectronics Reliability
影响因子： 1.6
作者： [Brazzini T]
通讯作者： Brazzini T
Non-linear (large signal) Millimetre-wave Devices, Circuits and Systems On-Wafer Characterization Facility
  • 批准号：
    EP/S01005X/1
  • 项目类别：
    Research Grant
  • 资助金额：
    $185.93万
  • 财政年份：
    2019
  • 负责人：
    Paul Tasker
  • 依托单位：
    CARDIFF UNIVERSITY
Integration of RF Circuits with High Speed GaN Switching on Silicon Substrates
  • 批准号：
    EP/N016408/1
  • 项目类别：
    Research Grant
  • 资助金额：
    $71.72万
  • 财政年份：
    2016
  • 负责人：
    Paul Tasker
  • 依托单位：
    CARDIFF UNIVERSITY
High Performance Buffers for RF GaN Electronics
  • 批准号：
    EP/N028848/1
  • 项目类别：
    Research Grant
  • 资助金额：
    $31.85万
  • 财政年份：
    2016
  • 负责人：
    Paul Tasker
  • 依托单位：
    CARDIFF UNIVERSITY
Holistic Design of Power Amplifiers for Future Wireless Systems
  • 批准号：
    EP/F033702/1
  • 项目类别：
    Research Grant
  • 资助金额：
    $129.31万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    Paul Tasker
  • 依托单位：
    CARDIFF UNIVERSITY
海外基金