Novel GaN Power Devices and Packaging Technologies for 300C Ambient Operation
适用于 300C 环境操作的新型 GaN 功率器件和封装技术
基本信息
- 批准号:EP/R024502/1
- 负责人:
- 金额:$ 42.08万
- 依托单位:
- 依托单位国家:英国
- 项目类别:Research Grant
- 财政年份:2018
- 资助国家:英国
- 起止时间:2018 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.
目前GtR中并没有所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要,但也可能是因为摘要中包含个人详细信息等敏感信息。
项目成果
期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
An Integrative 3D printing method for rapid additive manufacturing of a capacitive force sensor
- DOI:10.1088/1361-6439/abf843
- 发表时间:2021-06-01
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:Liu, G. D.;Wang, C. H.;Wang, K. X.
- 通讯作者:Wang, K. X.
A Rapid Design and Fabrication Method for a Capacitive Accelerometer Based on Machine Learning and 3D Printing Techniques
- DOI:10.1109/jsen.2021.3085743
- 发表时间:2021-08-15
- 期刊:
- 影响因子:4.3
- 作者:Liu, Guandong;Wang, Changhai;Li, Zhe
- 通讯作者:Li, Zhe
Laser-Assisted Sintering of Silver Nanoparticle Paste for Bonding of Silicon to DBC for High-Temperature Electronics Packaging
- DOI:10.1109/tcpmt.2020.3046917
- 发表时间:2021-03
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:G. D. Liu;Changhai Wang;J. Swingler
- 通讯作者:G. D. Liu;Changhai Wang;J. Swingler
A Full 3D Printing Method for Monolithic Integration of an Accelerometer and a Force Sensor
- DOI:10.1109/mems49605.2023.10052173
- 发表时间:2023-01
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Guandong Liu;Changhai Wang;Kexin Wang;Zhili Jia;Ruiqi Luo;Wei Ma
- 通讯作者:Guandong Liu;Changhai Wang;Kexin Wang;Zhili Jia;Ruiqi Luo;Wei Ma
A Fully 3D Printed Accelerometer for Movement Monitoring Applications
用于运动监控应用的全 3D 打印加速度计
- DOI:10.1109/nems54180.2022.9791199
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Liu G
- 通讯作者:Liu G
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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Polymers containing backbone acetylene, anthracene and tetra-, penta- or hexa-coordinate silicon units: UV–visible, photoluminescence and solution χ(3) non-linear optical properties
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- 影响因子:11.300
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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