Spintronic device physics in Si/Ge Heterostructures

Si/Ge 异质结构中的自旋电子器件物理

• 批准号: EP/J002968/1
• 负责人: Cornelis Hendrik De Groot
• 金额: $ 54.09万
• 依托单位: University of Southampton
• 依托单位国家: 英国
• 项目类别: Research Grant
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 英国
• 起止时间: 2012 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FJ002968%2F1
• 关键词: Spintronic; device; physics; Si; Ge

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.

目前GtR中并没有提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但也可能是因为它包含敏感信息，如个人详细信息。

项目成果

Switching kinetics of SiC resistive memory for harsh environments

• DOI: 10.1063/1.4926674
• 发表时间: 2015-07-01
• 期刊: AIP ADVANCES
• 影响因子: 1.6
• 作者: Morgan, K. A.;Fan, J.;de Groot, C. H.
• 通讯作者: de Groot, C. H.

Forming-free resistive switching of tunable ZnO films grown by atomic layer deposition

• DOI: 10.1016/j.mee.2016.03.038
• 发表时间: 2016-08-01
• 期刊: MICROELECTRONIC ENGINEERING
• 影响因子: 2.3
• 作者: Huang, Ruomeng;Sun, Kai;de Groot, C. H.
• 通讯作者: de Groot, C. H.

Microstructure and electrical properties of co-sputtered Cu embedded amorphous SiC

• DOI: 10.1016/j.matlet.2016.04.144
• 发表时间: 2016-09
• 期刊: Materials Letters
• 影响因子: 3
• 作者: Junqing Fan;Liudi Jiang;L. Zhong;R. Gowers;K. Morgan;C. Groot

Effect of interfacial PdNi concentration on time response of Si-based electrodeposited hydrogen sensors

界面PdNi浓度对硅基电沉积氢传感器时间响应的影响

• 作者: Long Tao Dong (Author)

Helium ion beam milling and Electron beam lithography to create sub-20nm sized domain wall magnetoresistance spin-valve

氦离子束铣削和电子束光刻技术创建亚 20 纳米尺寸的畴壁磁阻自旋阀

• 作者: Yudong Wang (Author)