课题基金 / 基金详情

The use of GaN Transistors as radiation hard high-voltage switches

The use of GaN Transistors as radiation hard high-voltage switches
使用GaN晶体管作为抗辐射高压开关
批准号：
ST/V002430/1
负责人：
Leonard Hommels
金额：
$63.74万
依托单位：
University of Cambridge
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2020
资助国家：
英国
项目状态：
已结题
起止时间：
2020 至 --
来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=ST%2FV002430%2F1
关键词：
useGaNTransistorsradiationhard

项目摘要

项目成果

Leonard Hommels的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
A new type of transistor has been identified for the switching of high voltage in the extreme radiation environment present at the inside of the detectors at the Large Hadron Collider located near Geneva in Switzerland. These transistors allow us to switch part of our detectors on and off remotely, increasing the robustness of our experiments to component failures during its 10 year lifetime.
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
HVMUX, high voltage multiplexing for the ATLAS strip tracker upgrade
HVMUX，用于 ATLAS 带状跟踪器升级的高压多路复用
DOI： 10.1088/1748-0221/15/05/c05003
发表时间： 2020
期刊： Journal of Instrumentation
影响因子： 1.3
作者： [Villani E]
通讯作者： Villani E
ATLAS SCT Upgrade Module Production
  • 批准号：
    ST/M006409/1
  • 项目类别：
    Research Grant
  • 资助金额：
    $9.94万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    Leonard Hommels
  • 依托单位：
    University of Cambridge
Investigation of Silicon-Carbide (SiC) Transistors as High-Voltage switches for SLHC detectors
  • 批准号：
    ST/M000079/1
  • 项目类别：
    Research Grant
  • 资助金额：
    $2.12万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    Leonard Hommels
  • 依托单位：
    University of Cambridge
国内基金
海外基金
垂直型GaN肖特基势垒二极管研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    刘梦涵
  • 依托单位：
    南京信息职业技术学院
异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
基于金刚石高效散热封装的高功率高压GaN器件研发与产业化
复合抗磨涂层仿生微结构化表面自润滑 金刚石砂轮的制备与其磨削单晶GaN基础 研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    10.0万元
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
    戴厚富
  • 依托单位：
    汕头大学