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The use of GaN Transistors as radiation hard high-voltage switches
使用GaN晶体管作为抗辐射高压开关
基本信息
- 批准号：ST/V002430/1
- 负责人：
- 金额：$ 63.74万
- 依托单位：
- 依托单位国家：英国
- 项目类别：Research Grant
- 财政年份：2020
- 资助国家：英国
- 起止时间：2020 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
A new type of transistor has been identified for the switching of high voltage in the extreme radiation environment present at the inside of the detectors at the Large Hadron Collider located near Geneva in Switzerland. These transistors allow us to switch part of our detectors on and off remotely, increasing the robustness of our experiments to component failures during its 10 year lifetime.
位于瑞士日内瓦附近的大型强子对撞机探测器内部的极端辐射环境中，一种新型晶体管已被确定用于高压开关。这些晶体管使我们能够远程打开和关闭部分探测器，从而在其10年的使用寿命期间增加了我们实验对组件故障的鲁棒性。
项目成果
期刊论文数量（1）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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- DOI：10.1088/1748-0221/15/05/c05003
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：1.3
- 作者：Villani E
- 通讯作者：Villani E
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