Investigation of Silicon-Carbide (SiC) Transistors as High-Voltage switches for SLHC detectors
研究碳化硅 (SiC) 晶体管作为 SLHC 探测器的高压开关
基本信息
- 批准号:ST/M000079/1
- 负责人:
- 金额:$ 2.12万
- 依托单位:
- 依托单位国家:英国
- 项目类别:Research Grant
- 财政年份:2014
- 资助国家:英国
- 起止时间:2014 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
This specific proposal focuses on developing a test stand for transistors that are to be used as on-detector high voltage switches for the Upgraded ATLAS Tracker detectors. Candidate devices will have to be characterized before and after irradiation to see whether they can retain low leakage currents, and remain capable of switching High Voltages over their intended lifetime, while being exposed to very high irradiation levels.To complete the test stand, a high quality High Voltage source is essential.
该具体提案的重点是开发一个晶体管测试台,用于升级版ATLAS Tracker探测器的探测器上高压开关。候选器件必须在辐照前后进行表征,以确定它们是否能够保持低泄漏电流,并在预期寿命内保持高压开关能力,同时暴露在非常高的辐照水平下。为了完成测试台,高质量的高压电源至关重要。
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
HVMUX, high voltage multiplexing for the ATLAS strip tracker upgrade
HVMUX,用于 ATLAS 带状跟踪器升级的高压多路复用
- DOI:10.1088/1748-0221/15/05/c05003
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:1.3
- 作者:Villani E
- 通讯作者:Villani E
HVMUX, a high voltage multiplexing for the ATLAS Tracker upgrade
HVMUX,用于 ATLAS Tracker 升级的高压多路复用
- DOI:10.1088/1748-0221/12/01/c01076
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:1.3
- 作者:Villani E
- 通讯作者:Villani E
HVMUX, the High Voltage Multiplexing for the ATLAS Tracker Upgrade
HVMUX,用于 ATLAS 跟踪器升级的高压多路复用
- DOI:10.1088/1748-0221/10/01/c01041
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:1.3
- 作者:Villani E
- 通讯作者:Villani E
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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