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High speed IC Design with novel dielectrics for 5G infrastructure and precision electronics

High speed IC Design with novel dielectrics for 5G infrastructure and precision electronics
采用新型电介质的高速 IC 设计,适用于 5G 基础设施和精密电子产品
批准号:
2621487
负责人:
金额:
$0.0万
依托单位:
依托单位国家:
英国
项目类别:
Studentship
财政年份:
2021
资助国家:
英国
项目状态:
未结题
起止时间:
2021 至 --

项目摘要

项目成果

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英文摘要
One of the undisputed trends in the IC industry is the scaling of the fabrication geometries. Besides the clear benefits of lower power consumption, higher speed and higher integration, this trend present new challenges to designers. One of these trade-offs is the usage of back end of line (BEOL) capacitors with low-k dielectrics. The new dielectric allows a higher capacitance per unit area but comes at the cost of increased dielectric absorption and random mismatch. This project will explore in-depth analysis of the capacitor non- idealities limiting the performance of the state of art numerical converters. The main areas of investigation focus on the capacitor mismatch drift and dielectric absorption. Assisted by a group of world leading data converter specialists and academics, you will gather experience in circuit design, layout, characterisation, data analysis and modelling
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基于IC曲线动力电池SOH融合估算方法研究
  • 批准号:
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2026
  • 负责人:
    赵钱
  • 依托单位:
富血小板血浆通过胆碱能神经免疫轴ACh/mAChR3/TNFα调控IC/BPS尿路上皮屏障稳态及TLS的机制研究
  • 批准号:
    JCZRLH202600139
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2026
  • 负责人:
  • 依托单位:
基于两亲性两嵌段聚合物的IC SiP界面缺陷调控研究
  • 批准号:
    JCZRQN202500668
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2025
  • 负责人:
  • 依托单位:
面向IC设计EDA工具的AlGaN/GaN HEMTs物理基紧凑模型研究
  • 批准号:
    62374046
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    48万元
  • 批准年份:
    2023
  • 负责人:
    于飞
  • 依托单位: