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Effect of dopants on the energy and density of subband gap states in thin film semiconductors
掺杂剂对薄膜半导体中子带隙态能量和密度的影响
基本信息
- 批准号：5874-1996
- 负责人：
- 金额：$ 4.52万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Discovery Grants Program - Individual
- 财政年份：1997
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：1997-01-01 至 1998-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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Effect of dopants on the energy and density of subband gap states in thin film semiconductors
掺杂剂对薄膜半导体中子带隙态能量和密度的影响
- 批准号：
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Effect of dopants on the energy and density of subband gap states in thin film semiconductors
掺杂剂对薄膜半导体中子带隙态能量和密度的影响
- 批准号：
5874-1996 - 财政年份：1998
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Effect of dopants on the energy and density of subband gap states in thin film semiconductors
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Effect of dopants on the electrical and electronic properties of thin film semiconductors
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Effect of dopants on the electrical and electronic properties of thin film semiconductors
掺杂剂对薄膜半导体电学和电子性能的影响
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Effect of dopants on the electrical and electronic properties of thin film semiconductors
掺杂剂对薄膜半导体电学和电子性能的影响
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