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Effect of dopants on the energy and density of subband gap states in thin film semiconductors

Effect of dopants on the energy and density of subband gap states in thin film semiconductors
掺杂剂对薄膜半导体中子带隙态能量和密度的影响
批准号：
5874-1996
负责人：
Cocivera, Michael
金额：
$4.97万
依托单位：
University of Guelph
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
财政年份：
1998
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
1998-01-01 至 1999-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=129023
关键词：
Effectdopantsenergydensitysubband

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Preparation and characterization of metal oxide semiconductors
  • 批准号：
    5874-2000
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $4.59万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    Cocivera, Michael
  • 依托单位：
    University of Guelph
Preparation and characterization of metal oxide semiconductors
  • 批准号：
    5874-2000
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $4.59万
  • 财政年份：
    2001
  • 负责人：
    Cocivera, Michael
  • 依托单位：
    University of Guelph
Preparation and characterization of metal oxide semiconductors
  • 批准号：
    5874-2000
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $4.59万
  • 财政年份：
    2000
  • 负责人：
    Cocivera, Michael
  • 依托单位：
    University of Guelph
Effect of dopants on the energy and density of subband gap states in thin film semiconductors
  • 批准号：
    5874-1996
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $5.22万
  • 财政年份：
    1999
  • 负责人：
    Cocivera, Michael
  • 依托单位：
    University of Guelph
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