Study on acceptor level and thermal stability of Si-doped p-type GaAsSb
Study on acceptor level and thermal stability of Si-doped p-type GaAsSb
Si掺杂p型GaAsSb的受主能级及热稳定性研究
批准号：
17K05046
负责人：
Yokoyama Haruki
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2020-03-31
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GaAsSb結晶中のSiアクセプタ準位評価
GaAsSb 晶体中 Si 受主水平的评估
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DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[杉田 有哉, 田中 滉士, 和泉 志男, 横山 春喜]
通讯作者：
横山 春喜
Siドープp型GaAsSbの正孔散乱機構解析
Si掺杂p型GaAsSb空穴散射机理分析
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DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
教育工学論文集
影响因子：
--
作者：
[森 友希, 横山 春喜]
通讯作者：
横山 春喜
Si ドープp 型GaAsSb 層のホール効果測定
Si掺杂p型GaAsSb层的霍尔效应测量
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DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[杉田 有哉, 田中 滉士, 和泉 志男, 横山 春喜, 鈴木裕史,水戸部大地, 和泉志男，横山春喜，杉田有哉]
通讯作者：
和泉志男，横山春喜，杉田有哉
Siドープｐ型GaAsSbの正孔散乱機構解析
Si掺杂p型GaAsSb空穴散射机理分析
Si掺杂p型GaAsSb空穴散射机理分析
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[森 友希, 横山 春喜]
通讯作者：
横山 春喜
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