Hetero-epitaxial silicon carbide: enabling wide-band-gap semiconductors on silicon for greener technologies
Hetero-epitaxial silicon carbide: enabling wide-band-gap semiconductors on silicon for greener technologies
异质外延碳化硅：在硅上实现宽带隙半导体，实现更环保的技术
批准号：
FT120100445
负责人：
Prof Francesca Iacopi
金额：
$52.1万
依托单位：
依托单位国家：
澳大利亚
项目类别：
ARC Future Fellowships
财政年份：
2012
资助国家：
澳大利亚
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-08-24 至 2016-12-31
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英文摘要
In the next decade wide band gap materials will unlock vast potential for a capillary outreach of smart heterogeneous devices, improving energy efficiency and lessening our carbon footprint. This project will aim at major breakthroughs, enabling this pressing technological demand, and putting Australia at the leading edge of this revolution.
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