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Nano-scaled interface and material control for III-N electronics
III-N 电子器件的纳米级接口和材料控制
基本信息
- 批准号：372068-2010
- 负责人：
- 金额：$ 1.68万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Discovery Grants Program - Individual
- 财政年份：2012
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2012-01-01 至 2013-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
The work proposed in this discovery grant is to be performed at the University of Alberta, Electrical and Computer Engineering. The proposed discovery research is an effort to extend semiconductor device capabilities through the continued development of Gallium Nitride (GN) and related column III-N materials as
这项发现补助金中提出的工作将在阿尔伯塔大学电气和计算机工程学院进行。拟议的发现研究是一项努力，通过继续开发氮化镓（GN）和相关的III-N族材料，
项目成果
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专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
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