Multi-layer I/O chip architecture enabled by back end of line compatible switch for increased data handling density

多层 I/O 芯片架构由后端兼容交换机实现,可提高数据处理密度

基本信息

  • 批准号:
    561133-2020
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.64万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    加拿大
  • 项目类别:
    Alliance Grants
  • 财政年份:
    2021
  • 资助国家:
    加拿大
  • 起止时间:
    2021-01-01 至 2022-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Alberta and Canada have a strong and time-sensitive opportunity to be leaders in the effort to vastly improve data handling densities at the electronic level and significantly impact the global Internet of Things (IoT) industry. The goal of this project is to unlock new capabilities of IoT electronics by massively increasing data handling capabilities in key parts of the IoTinfrastructure at the electronic level. This will be achieved by incorporating a novel Alberta developed metal oxide thin-film transistor (MOTFT) switch device that allows for multiple layers of data input/output (IO) channels to be stacked in a 3D monolithically integrated multi-tiered IO chip architecture (3DMIO). The result is a compact 3DMIO chip with, in this iteration, double the data IO density within the same surface area of a single chip. This density enhancement is seen as a key enabler in the $450 Billion dollar semiconductor industry in beyond Moore's law devices. The switch effectively works as a glue between disparate technologies that are part of the IoT infrastructure such as traditional advanced logic, sensor networks, memory,communications, neuromorphic and potentially quantum computing. The functional advantage of the MOTFT switch enabling a 3D monolithic architecture for IoT is the realization of heterogeneous technologies operating with different link power bus and datacommunication link requirements all within a single chip. The functional advantage of the MOTFT switch will be demonstrated through its integration within the final 3DMIO chip prototype that will be built by the end of the project.
阿尔伯塔省和加拿大在大幅提高电子层面的数据处理密度,并对全球物联网(IoT)行业产生重大影响方面,有一个强大且具有时效性的机会,可以成为领导者。该项目的目标是通过在电子层面大规模增加物联网基础设施关键部分的数据处理能力,解锁物联网电子产品的新功能。这将通过结合Alberta开发的新型金属氧化物薄膜晶体管(MOTFT)开关器件来实现,该器件允许多层数据输入/输出(IO)通道堆叠在3D单片集成多层IO芯片架构(3DMIO)中。结果是一个紧凑的3DMIO芯片,在这个迭代中,在单个芯片的相同表面积内,数据IO密度增加了一倍。这种密度的提高被视为超过摩尔定律器件价值4500亿美元的半导体行业的关键推动者。该交换机有效地充当了物联网基础设施中不同技术之间的粘合剂,这些技术包括传统的高级逻辑、传感器网络、内存、通信、神经形态和潜在的量子计算。支持物联网3D单片架构的moft交换机的功能优势是实现了在单个芯片内以不同链路电源总线和数据通信链路要求运行的异构技术。moft开关的功能优势将通过将其集成到将在项目结束时构建的最终3DMIO芯片原型中来展示。

项目成果

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