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Low-noise and high-bandwidth terahertz devices made on InGaAsP:Fe photoconductors/Dispositifs térahertz à faible bruit et à large bande spectrale fabriqués sur InGaAsP:Fe
在 InGaAsP:Fe 光电导体上制造的低噪声和高带宽太赫兹器件/Dispositifs térahertz à faible bruit et à big bandespectle fabriqués sur InGaAsP:Fe
基本信息
- 批准号：429792-2012
- 负责人：
- 金额：$ 1.82万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Engage Grants Program
- 财政年份：2012
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2012-01-01 至 2013-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Terahertz frequencies roughly range from 0.1 to 10 THz with their corresponding wavelengths going from 3
太赫兹频率大致在0.1到10太赫兹之间，相应的波长在3太赫兹之间
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
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会议论文数量（0）
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