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The effects of silicon level and of post-extrusion quench rate on the formability of 6082 alloy extrusion

The effects of silicon level and of post-extrusion quench rate on the formability of 6082 alloy extrusion
硅含量和挤压后淬火速率对6082合金挤压成形性能的影响
批准号：
468275-2014
负责人：
Pekguleryuz, Mihriban
金额：
$1.82万
依托单位：
McGill University
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Engage Grants Program
财政年份：
2014
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-01-01 至 2015-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=562733
关键词：
effectssiliconlevelpostextrusion

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Aluminum automotive parts are good candidates to replace steel for vehicle weight reduction purposes for fuel
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Light Alloy Development using Machine-Learning Based Alloy Design Tools
  • 批准号：
    RGPIN-2022-04767
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $2.84万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    Pekguleryuz, Mihriban
  • 依托单位：
    McGill University
LIGHT ALLOY DESIGN FOR AUTOMOTIVE, AEROSPACE AND BIO APPLICATIONS
  • 批准号：
    RGPIN-2016-05121
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $3.13万
  • 财政年份：
    2021
  • 负责人：
    Pekguleryuz, Mihriban
  • 依托单位：
    McGill University
LIGHT ALLOY DESIGN FOR AUTOMOTIVE, AEROSPACE AND BIO APPLICATIONS
  • 批准号：
    RGPIN-2016-05121
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $3.13万
  • 财政年份：
    2020
  • 负责人：
    Pekguleryuz, Mihriban
  • 依托单位：
    McGill University
LIGHT ALLOY DESIGN FOR AUTOMOTIVE, AEROSPACE AND BIO APPLICATIONS
  • 批准号：
    RGPIN-2016-05121
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $3.13万
  • 财政年份：
    2019
  • 负责人：
    Pekguleryuz, Mihriban
  • 依托单位：
    McGill University
国内基金
海外基金
用于强磁场的位置灵敏型探测器技术研究
基于有源微环谐振器的高速光学比特存储的机理与器件研究
  • 批准号：
    61006045
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    23.0万元
  • 批准年份：
    2010
  • 负责人：
    黄庆忠
  • 依托单位：
    华中科技大学
Silicon-Tethered 分子内 Corey-Chaykovsky 反应和 Tandem Heterocyclopropylolefin 环化反应研究
  • 批准号：
    20802044
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    18.0万元
  • 批准年份：
    2008
  • 负责人：
    宋振雷
  • 依托单位：
    四川大学
基于多孔硅键合氧化技术直接在绝缘体上制备无位错应变硅材料的研究
  • 批准号：
    60776018
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    34.0万元
  • 批准年份：
    2007
  • 负责人：
    张轩雄
  • 依托单位：
    上海理工大学