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Understanding Fin Field-Effect Transistors by Green's Function Quantum Transport

Understanding Fin Field-Effect Transistors by Green's Function Quantum Transport
通过格林函数量子传输了解鳍式场效应晶体管
批准号：
475428-2015
负责人：
Wong, Michael
金额：
$2.55万
依托单位：
University of Alberta
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
财政年份：
2015
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-01-01 至 2016-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=578254
关键词：
UnderstandingFinFieldEffectTransistors

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The development of a novel placenta-on-a-chip microfluidic device to investigate human placental barrier function and maternal-fetal transport
  • 批准号：
    501225-2016
  • 项目类别：
    Vanier Canada Graduate Scholarship Tri-Council - Doctoral 3 years
  • 资助金额：
    $3.64万
  • 财政年份：
    2018
  • 负责人：
    Wong, Michael
  • 依托单位：
    McMaster University
Mobile application for head-mounted device control
  • 批准号：
    519949-2017
  • 项目类别：
    Experience Awards (previously Industrial Undergraduate Student Research Awards)
  • 资助金额：
    $0.33万
  • 财政年份：
    2018
  • 负责人：
    Wong, Michael
  • 依托单位：
    Form Athletica
Understanding Fin Field-Effect Transistors by Green's Function Quantum Transport
  • 批准号：
    475428-2015
  • 项目类别：
    Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
  • 资助金额：
    $2.55万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    Wong, Michael
  • 依托单位：
    University of Alberta
The development of a novel placenta-on-a-chip microfluidic device to investigate human placental barrier function and maternal-fetal transport
  • 批准号：
    501225-2016
  • 项目类别：
    Vanier Canada Graduate Scholarship Tri-Council - Doctoral 3 years
  • 资助金额：
    $3.64万
  • 财政年份：
    2017
  • 负责人：
    Wong, Michael
  • 依托单位：
    McMaster University
国内基金
海外基金
UIS应力下高压垂直型氮化镓Fin-JFET器 件雪崩电热模型及退化机理
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    10.0万元
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
    赵垚澎
  • 依托单位：
    北京大学东莞光电研究院
FRMD7新突变的致病机制与基因治疗FIN的实验性研究
  • 批准号：
    2023J01312
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    9.0万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    阳菊华
  • 依托单位：
    福建医科大学
FinFET器件辐射效应Fin结构相关性及可靠性研究
  • 批准号：
    62374124
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    55万元
  • 批准年份：
    2023
  • 负责人：
    曹艳荣
  • 依托单位：
    西安电子科技大学
Fin 纳米沟道调制的两端型GaN HEMT太赫兹探测器研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
  • 依托单位：
    苏州科技大学