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Semiconductor Crystal Growth
半导体晶体生长
基本信息
- 批准号：1211662-2008
- 负责人：
- 金额：$ 14.57万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Canada Research Chairs
- 财政年份：2015
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2015-01-01 至 2016-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Dost, Sadik其他文献
Global simulation of the induction heating TSSG process of SiC for the effects of Marangoni convection, free surface deformation and seed rotation
- DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2017.04.016 - 发表时间：
2017-07-15 - 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：
Yamamoto, Takuya;Okano, Yasunori;Dost, Sadik - 通讯作者：
Dost, Sadik
Validation of the S-CLSVOF method with the density-scaled balanced continuum surface force model in multiphase systems coupled with thermocapillary flows
- DOI：
10.1002/fld.4267 - 发表时间：
2017-01-30 - 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：
Yamamoto, Takuya;Okano, Yasunori;Dost, Sadik - 通讯作者：
Dost, Sadik
Adjoint-based sensitivity analysis for the optimal crucible temperature profile in the RF-Heating TSSG-SiC crystal growth process
- DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2019.04.001 - 发表时间：
2019-07-01 - 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：
Horiuchi, Takashi;Wang, Lei;Dost, Sadik - 通讯作者：
Dost, Sadik
Numerical simulation of thermo-solutal Marangoni convection in a full floating zone with radiative heat transfer under zero gravity
- DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2021.126204 - 发表时间：
2021-06-11 - 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：
Jin, Chihao;Okano, Yasunori;Dost, Sadik - 通讯作者：
Dost, Sadik
Numerical investigation of the transport phenomena occurring in the growth of SiC by the induction heating TSSG method
- DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2016.12.086 - 发表时间：
2017-09-15 - 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：
Yamamoto, Takuya;Adkar, Nikhil;Dost, Sadik - 通讯作者：
Dost, Sadik
Dost, Sadik的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Dost, Sadik', 18)}}的其他基金
Growth of Semiconductor Bulk Single Crystals
半导体块状单晶的生长
- 批准号：
99118-2013 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Growth of Semiconductor Bulk Single Crystals
半导体块状单晶的生长
- 批准号：
99118-2013 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Semiconductor Crystal Growth
半导体晶体生长
- 批准号：
1000211662-2008 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Canada Research Chairs
Growth of Semiconductor Bulk Single Crystals
半导体块状单晶的生长
- 批准号：
99118-2013 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Growth of Semiconductor Bulk Single Crystals
半导体块状单晶的生长
- 批准号：
446189-2013 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Accelerator Supplements
Growth of Semiconductor Bulk Single Crystals
半导体块状单晶的生长
- 批准号：
446189-2013 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Accelerator Supplements
Growth of Semiconductor Bulk Single Crystals
半导体块状单晶的生长
- 批准号：
99118-2013 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Semiconductor Crystal Growth
半导体晶体生长
- 批准号：
1000211662-2008 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Canada Research Chairs
Growth of Semiconductor Bulk Single Crystals
半导体块状单晶的生长
- 批准号：
99118-2013 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Growth of Semiconductor Bulk Single Crystals
半导体块状单晶的生长
- 批准号：
446189-2013 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Accelerator Supplements
相似国自然基金
Research on the Rapid Growth Mechanism of KDP Crystal
- 批准号：10774081
- 批准年份：2007
- 资助金额：45.0 万元
- 项目类别：面上项目
相似海外基金
Development of a Simple and Scalable Method for Organic Semiconductor Single Crystal Growth and Formation of Multi-Single Crystal Thin Films for Applications in Field-Effect Transistor-Based Devices.
开发一种简单且可扩展的方法，用于有机半导体单晶生长和多单晶薄膜的形成，用于基于场效应晶体管的器件。
- 批准号：
22K14293 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Revolution of semiconductor bulk crystal growth technique by transport phenomena combined with information technology
输运现象与信息技术相结合的半导体块晶生长技术的革命
- 批准号：
20H00320 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Single crystal growth of transparent oxide semiconductor and analysis of its intrinsic physical properties
透明氧化物半导体的单晶生长及其固有物理性质分析
- 批准号：
20K05306 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Crystal growth of InN semiconductor for high performance pn junction diodes
用于高性能pn结二极管的InN半导体晶体生长
- 批准号：
19K22228 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Crystal growth of layer semiconductor gallium selenide for highly efficient THz wave light source
高效太赫兹波光源层状半导体硒化镓晶体生长
- 批准号：
18J11396 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
High-speed in situ X-ray diffraction for dislocation control in semiconductor crystal growth
用于半导体晶体生长中位错控制的高速原位 X 射线衍射
- 批准号：
17H02778 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Understanding crystal growth and electronic properties of semiconductor nanowires and nanostructures
了解半导体纳米线和纳米结构的晶体生长和电子特性
- 批准号：
121282-2013 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Semiconductor Crystal Growth
半导体晶体生长
- 批准号：
1000211662-2008 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Canada Research Chairs
Understanding crystal growth and electronic properties of semiconductor nanowires and nanostructures
了解半导体纳米线和纳米结构的晶体生长和电子特性
- 批准号：
121282-2013 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Crystal Growth of N-polar Nitride Semiconductor Heterostructures with Two-Dimensional Electron Gas
二维电子气N极氮化物半导体异质结构的晶体生长
- 批准号：
16H03857 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 14.57万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)