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Advanced manufacturing of InN/Si nanowire tunnelling transistors for energy efficient electronics

Advanced manufacturing of InN/Si nanowire tunnelling transistors for energy efficient electronics
用于节能电子产品的 InN/Si 纳米线隧道晶体管的先进制造
批准号：
494152-2016
负责人：
Szkopek, Thomas
金额：
$9.11万
依托单位：
McGill University
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Strategic Projects - Group
财政年份：
2016
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-01-01 至 2017-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=603014
关键词：
AdvancedmanufacturingInNSinanowire

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Since the dawn of modern computing, the energy efficiency of computation has been a driving force for
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2D Materials Engineering for Electron Devices
  • 批准号：
    RGPIN-2018-04851
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $6.7万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    Szkopek, Thomas
  • 依托单位：
    McGill University
2D Materials Engineering for Electron Devices
  • 批准号：
    RGPIN-2018-04851
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $3.35万
  • 财政年份：
    2021
  • 负责人：
    Szkopek, Thomas
  • 依托单位：
    McGill University
2D Materials Engineering for Electron Devices
  • 批准号：
    RGPIN-2018-04851
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $3.35万
  • 财政年份：
    2020
  • 负责人：
    Szkopek, Thomas
  • 依托单位：
    McGill University
2D Materials Engineering for Electron Devices
  • 批准号：
    RGPIN-2018-04851
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $3.35万
  • 财政年份：
    2019
  • 负责人：
    Szkopek, Thomas
  • 依托单位：
    McGill University
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