Nanoscale Electronics

纳米电子学

基本信息

  • 批准号:
    1000228944-2012
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.64万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    加拿大
  • 项目类别:
    Canada Research Chairs
  • 财政年份:
    2018
  • 资助国家:
    加拿大
  • 起止时间:
    2018-01-01 至 2019-12-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

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项目成果

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Szkopek, Thomas其他文献

The fine structure constant determines spontaneous emission rates from semiconductors
  • DOI:
    10.1063/1.3591171
  • 发表时间:
    2011-05-23
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Szkopek, Thomas
  • 通讯作者:
    Szkopek, Thomas
Selective ion sensing with high resolution large area graphene field effect transistor arrays
  • DOI:
    10.1038/s41467-020-16979-y
  • 发表时间:
    2020-06-26
  • 期刊:
  • 影响因子:
    16.6
  • 作者:
    Fakih, Ibrahim;Durnan, Oliver;Szkopek, Thomas
  • 通讯作者:
    Szkopek, Thomas
Sensitive Precise pH Measurement with Large-Area Graphene Field-Effect Transistors at the Quantum-Capacitance Limit
  • DOI:
    10.1103/physrevapplied.8.044022
  • 发表时间:
    2017-10-30
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.6
  • 作者:
    Fakih, Ibrahim;Mahvash, Farzaneh;Szkopek, Thomas
  • 通讯作者:
    Szkopek, Thomas
Tuning the aggregation of graphene oxide dispersions to synthesize elastic, low density graphene aerogels
  • DOI:
    10.1039/c7ta07006c
  • 发表时间:
    2017-11-28
  • 期刊:
  • 影响因子:
    11.9
  • 作者:
    Hu, Kaiwen;Szkopek, Thomas;Cerruti, Marta
  • 通讯作者:
    Cerruti, Marta
High resolution potassium sensing with large-area graphene field-effect transistors
  • DOI:
    10.1016/j.snb.2019.04.032
  • 发表时间:
    2019-07-15
  • 期刊:
  • 影响因子:
    8.4
  • 作者:
    Fakih, Ibrahim;Centeno, Alba;Szkopek, Thomas
  • 通讯作者:
    Szkopek, Thomas

Szkopek, Thomas的其他文献

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2D Materials Engineering for Electron Devices
电子器件二维材料工程
  • 批准号:
    RGPIN-2018-04851
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
2D Materials Engineering for Electron Devices
电子器件二维材料工程
  • 批准号:
    RGPIN-2018-04851
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
2D Materials Engineering for Electron Devices
电子器件二维材料工程
  • 批准号:
    RGPIN-2018-04851
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
2D Materials Engineering for Electron Devices
电子器件二维材料工程
  • 批准号:
    RGPIN-2018-04851
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Market Assessment for Next-Generation Hydrological Sensor Technology
下一代水文传感器技术的市场评估
  • 批准号:
    538560-2019
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
    Idea to Innovation
2D Materials Engineering for Electron Devices
电子器件二维材料工程
  • 批准号:
    RGPIN-2018-04851
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Ultra high quality transition metal dichalcogenide synthesis by molecular beam epitaxy for integrated light emitting diodes and ion sensitive transistors
通过分子束外延合成超高质量过渡金属二硫属化物,用于集成发光二极管和离子敏感晶体管
  • 批准号:
    494154-2016
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
    Strategic Projects - Group
Advanced manufacturing of InN/Si nanowire tunnelling transistors for energy efficient electronics
用于节能电子产品的 InN/Si 纳米线隧道晶体管的先进制造
  • 批准号:
    494152-2016
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
    Strategic Projects - Group
2-Dimensional Materials and Atomic Scale Engineering for Nanoelectronics
纳米电子学的二维材料和原子级工程
  • 批准号:
    342439-2013
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Ultra high quality transition metal dichalcogenide synthesis by molecular beam epitaxy for integrated light emitting diodes and ion sensitive transistors
通过分子束外延合成超高质量过渡金属二硫属化物,用于集成发光二极管和离子敏感晶体管
  • 批准号:
    494154-2016
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
    Strategic Projects - Group

相似海外基金

Polarisation patterns in nanoscale ferroelectrics for low-power nano-electronics
用于低功率纳米电子器件的纳米级铁电体的极化模式
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    2023
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
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Collaborative Research: Multi-configurational Methods for Charge Transport in Nanoscale Electronics
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  • 批准号:
    2154833
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
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Thermal hotspots detection in nanoscale two-dimensional electronics
纳米级二维电子学中的热热点检测
  • 批准号:
    DE220100487
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
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Collaborative Research: Multi-configurational Methods for Charge Transport in Nanoscale Electronics
合作研究:纳米电子中电荷传输的多配置方法
  • 批准号:
    2154832
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 3.64万
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    Standard Grant
Towards 5 nm and Beyond: Understanding Nanoscale Transistors for Future Electronics
迈向 5 纳米及以上:了解未来电子产品的纳米级晶体管
  • 批准号:
    RGPIN-2016-06160
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
In Silico Discovery and Design of 2D Ferromagnets for Nanoscale Electronics
用于纳米级电子产品的二维铁磁体的计算机发现和设计
  • 批准号:
    DP210100331
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
    Discovery Projects
Towards 5 nm and Beyond: Understanding Nanoscale Transistors for Future Electronics
迈向 5 纳米及以上:了解未来电子产品的纳米级晶体管
  • 批准号:
    RGPIN-2016-06160
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Towards 5 nm and Beyond: Understanding Nanoscale Transistors for Future Electronics
迈向 5 纳米及以上:了解未来电子产品的纳米级晶体管
  • 批准号:
    RGPIN-2016-06160
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Towards 5 nm and Beyond: Understanding Nanoscale Transistors for Future Electronics
迈向 5 纳米及以上:了解未来电子产品的纳米级晶体管
  • 批准号:
    RGPIN-2016-06160
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
Electronic Bit-Switching Energy Characterization of Quantum Dot Structures for Ultra-low Power Nanoscale Electronics
超低功耗纳米级电子器件量子点结构的电子位切换能量表征
  • 批准号:
    490302-2016
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 3.64万
  • 项目类别:
    Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
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知道了