Nouveaux composants à base de GaN (Nitrure de Gallium).

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Dans le domaine de la microélectronique, le matériau le plus utilisé est le silicium. Pour répondre aux diverses demandes du marché de plus en plus exigeantes, les laboratoires de recherche arrivent à faire des efforts considérables sur la miniaturisation du composant tout en étant limités par les propriétés physiques modestes de ce matériau. Ceci présente une grande opportunité pour les semi-conducteurs III-V qui offrent une très bonne alternative et un choix très varié de matériaux avec des propriétés électriques et optiques dépassant largement celles du Silicium. Ainsi, mon programme de recherche traite de la technologie de fabrication de composants à base de ces matériaux III-V et plus particulièrement à base du nitrure de Gallium (GaN) qui est un matériau à très grand bande interdite (gap). Dans ce contexte, je développe à l'Université de Sherbrooke une nouvelle filière technologique de fabrication de composants sur substrat GaN. Dans mon programme de recherche je cible en particulier deux types de composants :