Nouveaux composants à base de GaN (Nitrure de Gallium).

新成分 à GaN 基 (Nitre de Gallium)。

• 批准号: RGPIN-2015-03765
• 负责人: Maher, Hassan
• 金额: $ 1.6万
• 依托单位: Université de Sherbrooke
• 依托单位国家: 加拿大
• 项目类别: Discovery Grants Program - Individual
• 财政年份: 2017
• 资助国家: 加拿大
• 起止时间: 2017-01-01 至 2018-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=637268
• 关键词: Nouveaux; composants; base; de; GaN

Dans le domaine de la microélectronique, le matériau le plus utilisé est le silicium. Pour répondre aux diverses demandes du marché de plus en plus exigeantes, les laboratoires de recherche arrivent à faire des efforts considérables sur la miniaturisation du composant tout en étant limités par les propriétés physiques modestes de ce matériau. Ceci présente une grande opportunité pour les semi-conducteurs III-V qui offrent une très bonne alternative et un choix très varié de matériaux avec des propriétés électriques et optiques dépassant largement celles du Silicium. Ainsi, mon programme de recherche traite de la technologie de fabrication de composants à base de ces matériaux III-V et plus particulièrement à base du nitrure de Gallium (GaN) qui est un matériau à très grand bande interdite (gap). Dans ce contexte, je développe à l'Université de Sherbrooke une nouvelle filière technologique de fabrication de composants sur substrat GaN. Dans mon programme de recherche je cible en particulier deux types de composants :

在微电子领域，最常用的材料是硅。为了应对日益迫切的市场需求，研究实验室开始努力通过材料的物理模型来实现对材料成分的全面限制。Ceci presente une appropriately opportunité pour les semiconductorIII-V whi offrent une très bonne alternative et un choix très varié de matériaux avec des propriétés électriques et optiques dépassant acelles du Silicium. Ainsi，mon programme de recherche traite de la technologie de fabrication de composants à base de ces matériaux III-V et plus particulièrement à base du nitrure de Gallium（GaN）whi is un matériau à très grand bande interdite（gap）.在此背景下，我向舍布鲁克大学提供了一种新的GaN衬底上的复合材料制造技术。在我的研究方案中，我特别提到两种成分：