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Nouveaux composants à base de GaN (Nitrure de Gallium).

新成分 à GaN 基 (Nitre de Gallium)。

基本信息

批准号：
RGPIN-2015-03765
负责人：
Maher, Hassan
金额：
$ 1.6万
依托单位：
Université de Sherbrooke
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
财政年份：
2019
资助国家：
加拿大
起止时间：
2019-01-01 至 2020-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=678817
关键词：
Nouveaux composants base de GaN

项目摘要

Dans le domaine de la microélectronique, le matériau le plus utilisé est le silicium. Pour répondre aux diverses demandes du marché de plus en plus exigeantes, les laboratoires de recherche arrivent à faire des efforts considérables sur la miniaturisation du composant tout en étant limités par les propriétés physiques modestes de ce matériau. Ceci présente une grande opportunité pour les semi-conducteurs III-V qui offrent une très bonne alternative et un choix très varié de matériaux avec des propriétés électriques et optiques dépassant largement celles du Silicium. Ainsi, mon programme de recherche traite de la technologie de fabrication de composants à base de ces matériaux III-V et plus particulièrement à base du nitrure de Gallium (GaN) qui est un matériau à très grand bande interdite (gap). Dans ce contexte, je développe à l'Université de Sherbrooke une nouvelle filière technologique de fabrication de composants sur substrat GaN. Dans mon programme de recherche je cible en particulier deux types de composants :**** Convertisseurs DC-DC ou DC-RF pour la fabrication de systèmes à très grande puissance et à très haute efficacité énergétique.**** Composants RF destinés aux circuits opérants dans le domaine millimétrique.****Les composants à très grande valeur ajoutée qui seront réalisés dans le cadre de mes activités de recherche, ont un fort potentiel pour plusieurs types d'applications et plus particulièrement dans les domaines de la télécommunication, aérospatial, militaire, avionique, automotive, énergie et imagerie. De surcroit, ces composants présentent une très grande efficacité énergétique, un critère essentiel pour le développement technologique de la prochaine décennie. Dans le cadre de ce programme, 7 étudiants seront formés dans un environnement exceptionnel et bénéficieront d'une formation sur une technologie de pointe qui leur permettra éventuellement de continuer leur carrière dans le domaine de la microélectronique avec une expertise, de nos jours, très rare.******

Dans le Domaine de la MicroéElectronique，le Matériau le Plus Utiliséest le Silicium.Pour Répondre Aux De Diffandes Demandes du Marchéde Plus en plus Exameantes，Les Labatoire de Recherche Are Are Fire Des努力考虑小型化和作曲家Tout Eéant LimitéS Par les PropriétéS体质谦逊de ce Matériau。《机会与机遇报》第三至第五章介绍了S的另类半导体和半导体材料，其中包括硅胶材料的生产和生产。在此之前，我们有一个计划，那就是从技术到成分再加上氮化镓(GaN)的特殊要求，S大本营(GAP)。在此背景下，L所在的舍布鲁克大学采用了新的作曲家和作曲家技术。作曲家：*作曲家DC-DC和DC-RF为系统制造提供服务*作曲家S伟大的力量和S的高级作曲家。*作曲家设计S的电路和电路，运营领域的利益。*作曲家S的作曲家和高级作曲家S的作曲家和干部活跃的S等，以及潜在的应用类型和特殊的应用L的领域，空间，军事，航空，汽车，图像等。作曲家S的作曲家为我们提供了一种新的、有效的发展技术。《干部方案》、《S方案》、《联合国环境保护例外情况》、《技术与技术》等7个项目。