Nouvelles filière de composants GaN

GaN 复合材料新进展

• 批准号: RGPIN-2020-07052
• 负责人: Maher, Hassan
• 金额: $ 2.4万
• 依托单位: Université de Sherbrooke
• 依托单位国家: 加拿大
• 项目类别: Discovery Grants Program - Individual
• 财政年份: 2022
• 资助国家: 加拿大
• 起止时间: 2022-01-01 至 2023-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=754133
• 关键词: Nouvelles; fili; re; de; composants

Dans un contexte actuel où l'énergie électrique joue un rôle de plus en plus important dans le mix énergétique en raison de l'utilisation mondiale croissante des énergies renouvelables, le marché des composants microélectronique est en augmentation constante tant en taille qu'en complexité afin de répondre aux besoins actuels et futures. Ce marché est largement dominé par la technologie Silicium du fait de son bas coût et de sa grande maturité. Cependant, cette technologie ne permet d'offrir qu'un compromis limité entre encombrement, efficacité énergétique et fiabilité. Alors que des technologies émergentes demandent des solutions technologiques de plus en plus performantes, il apparaît alors crucial de repousser ces limites pour pouvoir répondre à ces changements technologiques en faisant appel à des approches alternatives. Une solution prometteuse réside dans l'utilisation du semi-conducteur Nitrure de Gallium (GaN) bien supérieur en termes de mobilité électronique et de tension de claquage. La technologie GaN est actuellement utilisée dans des applications jusqu'à 650 V avec des transistors à haute mobilité électronique (HEMTs) et à topologie horizontale crue sur substrat porteur constitué de matériaux autres que le GaN. Bien que la technologie GaN HEMT offre des performances impressionnantes, la pleine potentialité de ce matériau n'est pas entièrement exploitée du fait des limitations venant de la croissance sur substrat porteur. Cependant, des progrès récents en science des matériaux permettent d'envisager la fabrication de substrats GaN à coûts raisonnables. Ainsi, dans ce projet, on va surmonter les limitations actuelles des composants latéraux à base de GaN en utilisant une approche de croissance homo-epitaxiale sur substrat GaN. En effet, des travaux précédents publiés dans la littérature ont mis en valeur le gain de performance important en terme de densité de puissance en utilisant l'architecture verticale d'un composant GaN fabriqué sur substrat massif. Plus encore, l'idée déterminante de ce programme est la combinaison sur la même puce de 5 types de composants en utilisant la même technologie de fabrication, à savoir, le HEMTs, le transistor vertical type (FET), le transistor vertical type bipolaire, la diode Schottky et la diode PN. Ainsi, cette proposition de projet se distingue des travaux précédents par le fait que, pour la première fois, nous démontrerons l'intégration monolithique de tous ces 5 composants sur la même puce. Ce défi technologique représentera donc une avancée majeure qui est cependant tout à fait réalisable grâce aux infrastructures disponibles à l'université de Sherbrooke et à l'expertise développée au sein du groupe de recherche du professeur Maher.

L的实际工作环境和重要的工作条件包括L的实际应用、作曲的微观结构和未来发展。最大的技术领域是硅业和成熟的技术。从技术上来说，这是一种安全、有效和可靠的解决方案。这些技术和技术需要解决方案的技术和性能，关键的技术和技术的选择是不公平的。一种解决方案，使L的半导体氮化镓(GaN)的使用成为可能。A Technologie gan est Actuellement Utilisée dans des Applications Just Qu‘à650 V avec des晶体管àHigh Mobilitélectronique(HEMTs)etàtopologie Horontalcrue sur衬底Constituéde matériaux autres que le gan.这是一项重要的技术和技术研究工作，其目的是为了更好地利用现有的技术和技术。首先，《S的科学进展》设想了衬底制造的合理之处。在此基础上，我们提出了一种新的解决方案，即从根本上解决问题，并在此基础上提出了解决问题的方法。在这个过程中，S为公众提供了重要的演出机会，L的建筑垂直作曲家Gan Fabriquésur底座山体。再加一次，L的idée déTerminante de ce方案是最好的组合和5种类型的组合制造实用的半导体技术，a savava，le HEMTs，le晶体管垂直型(FET)，le晶体管垂直型双极型，la二极管肖特基和la二极管PN。在这首曲子里，有五首作曲家的作品是《Pour la Première fois》，《nous démontronons L》。L的舍布鲁克大学和L的专业技术团队在不可抗拒的情况下为基础设施建设提供了可靠的技术支持。