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High Efficiency Deep Ultraviolet Laser Diodes Using III-Nitride Nanowire Heterostructures

使用 III 族氮化物纳米线异质结构的高效深紫外激光二极管

基本信息

批准号：
487850-2016
负责人：
TavakoliDastjerdi, MohammadHadi
金额：
$ 1.64万
依托单位：
Massachusetts Institute of Technology
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Postdoctoral Fellowships
财政年份：
2018
资助国家：
加拿大
起止时间：
2018-01-01 至 2019-12-31
项目状态：
已结题

来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=666577
关键词：
Efficiency Deep Ultraviolet Laser Diodes

项目摘要

Laser diode, nanowire, Deep Ultraviolet light source, Molecular beam epitaxy, III-Nitride, Aluminium Gallium Nitride

激光二极管，纳米线，深紫外光源，分子束外延，III-氮化物，氮化铝，氮化镓

项目成果

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专著数量（0）

科研奖励数量（0）

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专利数量（0）

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批准号：
487850-2016
财政年份：
2017
资助金额：
$ 1.64万
项目类别：
Postdoctoral Fellowships

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