Wide bandgap semiconductor films for energy efficient power transistors

用于节能功率晶体管的宽带隙半导体薄膜

基本信息

  • 批准号：
    544621-2019
  • 负责人：
    RafieBorujeny, Elham
  • 金额：
    $ 0.44万
  • 依托单位：
    University of Alberta
  • 依托单位国家：
    加拿大
  • 项目类别：
    Canadian Graduate Scholarships Foreign Study Supplements
  • 财政年份：
    2019
  • 资助国家：
    加拿大
  • 起止时间：
    2019-01-01 至 2020-12-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

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项目成果

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数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
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    RGPIN-2019-04462
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    2021
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    RGPIN-2019-04462
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  • 资助金额：
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