2D- and Nano-materials techniques for semiconductor integration
用于半导体集成的 2D 和纳米材料技术
基本信息
- 批准号:RGPIN-2020-04747
- 负责人:
- 金额:$ 2.4万
- 依托单位:
- 依托单位国家:加拿大
- 项目类别:Discovery Grants Program - Individual
- 财政年份:2020
- 资助国家:加拿大
- 起止时间:2020-01-01 至 2021-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
For decades researchers were limited to designing devices that were lattice-matched to a commercially available substrates; more recently, however, researchers have learned how to design around some lattice mismatch. This work has resulted in state-of-the-art, strained-Si transistors, efficient (world-record breaking) solar cells, and Nobel-prize-winning LEDs. I have worked in high-quality semiconductor materials integration for the past 22 years, working in bonding, graded buffers, nano-materials, and lateral growth. Despite these advances, lattice mismatch is an ongoing challenge and limits device applications. In this proposal we will continue developing a lateral, lattice-mismatched, growth technique which we pioneered and patented. We will extend the technology to other materials and growth orientations. In this proposal, we are also pursuing a new lattice-mismatched growth technology using 2D materials. Using these technologies, we will build and demonstrate novel and high-performing electronic devices such as, solar cells, lasers, and detectors which can be integrated directly with Si-based integrated circuits. Funding this research program will enable diverse students to work with an advisor dedicated to training students in hard and soft skills and to provide mentoring and support to them throughout their careers.
几十年来,研究人员仅限于设计与商用衬底晶格匹配的器件;然而,最近,研究人员已经学会了如何围绕一些晶格失配进行设计。 这项工作导致了最先进的应变硅晶体管,高效(打破世界纪录)太阳能电池和获得诺贝尔奖的LED。 在过去的22年里,我一直从事高质量半导体材料集成,从事键合,分级缓冲,纳米材料和横向生长。 尽管有这些进步,晶格失配仍是一个持续的挑战,并限制了器件的应用。 在这项提案中,我们将继续开发一种横向的、晶格失配的生长技术,这是我们首创并获得专利的技术。 我们将把这项技术扩展到其他材料和生长方向。 在这项提案中,我们还在寻求一种使用2D材料的新的晶格失配生长技术。 利用这些技术,我们将建立和展示新型和高性能的电子设备,如太阳能电池,激光器和探测器,可以直接与硅基集成电路集成。 资助这项研究计划将使不同的学生能够与一位致力于培养学生硬技能和软技能的顾问合作,并在他们的职业生涯中为他们提供指导和支持。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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2D- and Nano-materials techniques for semiconductor integration
用于半导体集成的 2D 和纳米材料技术
- 批准号:
RGPIN-2020-04747 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
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2D- and Nano-materials techniques for semiconductor integration
用于半导体集成的 2D 和纳米材料技术
- 批准号:
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Lattice-Mismatched Liquid Phase Epitaxy
晶格失配液相外延
- 批准号:
RGPIN-2015-03718 - 财政年份:2018
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$ 2.4万 - 项目类别:
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Lattice-Mismatched Liquid Phase Epitaxy
晶格失配液相外延
- 批准号:
RGPIN-2015-03718 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
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Lattice-Mismatched Liquid Phase Epitaxy
晶格失配液相外延
- 批准号:
RGPIN-2015-03718 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
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Lattice-Mismatched Liquid Phase Epitaxy
晶格失配液相外延
- 批准号:
RGPIN-2015-03718 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
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- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
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Scalable nanomanufacturing of 2D layered materials and their integration into nano-enabled systems
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RGPIN-2019-06345 - 财政年份:2022
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$ 2.4万 - 项目类别:
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- 批准号:
RGPIN-2020-04747 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
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二维层状材料的可扩展纳米制造及其集成到纳米系统中
- 批准号:
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- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
2D- and Nano-materials techniques for semiconductor integration
用于半导体集成的 2D 和纳米材料技术
- 批准号:
RGPIN-2020-04747 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
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二维层状材料的可扩展纳米制造及其集成到纳米系统中
- 批准号:
RGPIN-2019-06345 - 财政年份:2020
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- 资助金额:
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