2D- and Nano-materials techniques for semiconductor integration
用于半导体集成的 2D 和纳米材料技术
基本信息
- 批准号:RGPIN-2020-04747
- 负责人:
- 金额:$ 2.4万
- 依托单位:
- 依托单位国家:加拿大
- 项目类别:Discovery Grants Program - Individual
- 财政年份:2022
- 资助国家:加拿大
- 起止时间:2022-01-01 至 2023-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
For decades researchers were limited to designing devices that were lattice-matched to a commercially available substrates; more recently, however, researchers have learned how to design around some lattice mismatch. This work has resulted in state-of-the-art, strained-Si transistors, efficient (world-record breaking) solar cells, and Nobel-prize-winning LEDs. I have worked in high-quality semiconductor materials integration for the past 22 years, working in bonding, graded buffers, nano-materials, and lateral growth. Despite these advances, lattice mismatch is an ongoing challenge and limits device applications. In this proposal we will continue developing a lateral, lattice-mismatched, growth technique which we pioneered and patented. We will extend the technology to other materials and growth orientations. In this proposal, we are also pursuing a new lattice-mismatched growth technology using 2D materials. Using these technologies, we will build and demonstrate novel and high-performing electronic devices such as, solar cells, lasers, and detectors which can be integrated directly with Si-based integrated circuits. Funding this research program will enable diverse students to work with an advisor dedicated to training students in hard and soft skills and to provide mentoring and support to them throughout their careers.
几十年来,研究人员局限于设计与市售基板晶格匹配的器件;然而,最近,研究人员已经学会了如何设计一些晶格不匹配。这项工作产生了最先进的应变硅晶体管,高效(打破世界纪录)太阳能电池,以及获得诺贝尔奖的led。在过去的22年里,我一直从事高质量半导体材料集成工作,工作领域包括键合、梯度缓冲、纳米材料和横向生长。尽管取得了这些进步,但晶格失配仍然是一个挑战,并限制了器件的应用。在这个提案中,我们将继续开发一种横向的、晶格不匹配的生长技术,这是我们首创的并获得了专利。我们将把这项技术扩展到其他材料和生长方向。在这个提案中,我们也在追求一种新的使用二维材料的晶格不匹配生长技术。利用这些技术,我们将构建和演示新的高性能电子设备,如太阳能电池、激光器和探测器,这些设备可以直接与硅基集成电路集成。资助该研究项目将使不同的学生能够与专门培训学生软硬技能的顾问一起工作,并在他们的整个职业生涯中为他们提供指导和支持。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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2D- and Nano-materials techniques for semiconductor integration
用于半导体集成的 2D 和纳米材料技术
- 批准号:
RGPIN-2020-04747 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
2D- and Nano-materials techniques for semiconductor integration
用于半导体集成的 2D 和纳米材料技术
- 批准号:
RGPIN-2020-04747 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
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Lattice-Mismatched Liquid Phase Epitaxy
晶格失配液相外延
- 批准号:
RGPIN-2015-03718 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Lattice-Mismatched Liquid Phase Epitaxy
晶格失配液相外延
- 批准号:
RGPIN-2015-03718 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Lattice-Mismatched Liquid Phase Epitaxy
晶格失配液相外延
- 批准号:
RGPIN-2015-03718 - 财政年份:2017
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Lattice-Mismatched Liquid Phase Epitaxy
晶格失配液相外延
- 批准号:
RGPIN-2015-03718 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
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Lattice-Mismatched Liquid Phase Epitaxy
晶格失配液相外延
- 批准号:
RGPIN-2015-03718 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
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- 批准号:
484683-2015 - 财政年份:2015
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$ 2.4万 - 项目类别:
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413185-2011 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
Strategic Projects - Group
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386199-2010 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
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- 批准年份:2023
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- 批准号:
- 批准年份:2022
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
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Scalable nanomanufacturing of 2D layered materials and their integration into nano-enabled systems
二维层状材料的可扩展纳米制造及其集成到纳米系统中
- 批准号:
RGPIN-2019-06345 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
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二维层状材料的可扩展纳米制造及其集成到纳米系统中
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21K14671 - 财政年份:2021
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Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
2D- and Nano-materials techniques for semiconductor integration
用于半导体集成的 2D 和纳米材料技术
- 批准号:
RGPIN-2020-04747 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
Excellence in Research: Collaborative Research: Computational Modeling and Experimental Investigation on Multivalent Interaction at Nano-Bio Interface for 2D Materials
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2100946 - 财政年份:2021
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$ 2.4万 - 项目类别:
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用于半导体集成的 2D 和纳米材料技术
- 批准号:
RGPIN-2020-04747 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 2.4万 - 项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
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二维层状材料的可扩展纳米制造及其集成到纳米系统中
- 批准号:
RGPIN-2019-06345 - 财政年份:2020
- 资助金额:
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- 资助金额:
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Grain boundary engineering of 2D materials for nano-ionic Resistive Switches
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- 批准号:
316245084 - 财政年份:2016
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Research Fellowships














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