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III-nitride selective epitaxial nanostructures: From full-color light sources to solid-state single photon sources
III族氮化物选择性外延纳米结构：从全色光源到固态单光子源
基本信息
- 批准号：DGECR-2021-00452
- 负责人：
- 金额：$ 0.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Discovery Launch Supplement
- 财政年份：2021
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：2021-01-01 至 2022-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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Integrated photon autocorrelation and micro-photoluminescence spectroscopy for developing solid-state quantum light emitters for quantum applications
集成光子自相关和微光致发光光谱，用于开发用于量子应用的固态量子光发射器
- 批准号：
RTI-2023-00571 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 0.91万 - 项目类别：
Research Tools and Instruments
III-nitride selective epitaxial nanostructures: From full-color light sources to solid-state single photon sources
III族氮化物选择性外延纳米结构：从全色光源到固态单光子源
- 批准号：
RGPIN-2021-04250 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 0.91万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
III-nitride selective epitaxial nanostructures: From full-color light sources to solid-state single photon sources
III族氮化物选择性外延纳米结构：从全色光源到固态单光子源
- 批准号：
RGPIN-2021-04250 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 0.91万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
相似国自然基金
基于稀氮砷化镓（Dilute nitride GaNAs）的近红外自旋放大纳米线激光器的研究
- 批准号：61905071
- 批准年份：2019
- 资助金额：24.0 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
相似海外基金
III-nitride selective epitaxial nanostructures: From full-color light sources to solid-state single photon sources
III族氮化物选择性外延纳米结构：从全色光源到固态单光子源
- 批准号：
RGPIN-2021-04250 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 0.91万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
III-nitride selective epitaxial nanostructures: From full-color light sources to solid-state single photon sources
III族氮化物选择性外延纳米结构：从全色光源到固态单光子源
- 批准号：
RGPIN-2021-04250 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 0.91万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Selective intercalation and diffusion processes in crystalline carbon nitride nanostructures
结晶氮化碳纳米结构中的选择性插层和扩散过程
- 批准号：
2248186 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 0.91万 - 项目类别：
Studentship
Synthesis of high toughness boron carbon nitride coatings by selective ion extraction in HiPIMS plasma discharge
HiPIMS 等离子体放电选择性离子萃取合成高韧性氮化硼碳涂层
- 批准号：
16K06801 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 0.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
PFI:AIR - TT: Novel Low-power III-Nitride Heater Cantilever Based Selective VOC Sensor
PFI:AIR - TT：新型低功耗 III 族氮化物加热器悬臂梁选择性 VOC 传感器
- 批准号：
1602006 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 0.91万 - 项目类别：
Standard Grant
Development of group-III nitride double polar selective area growth process and fabrication of nanostructure device
III族氮化物双极选区生长工艺开发及纳米结构器件制备
- 批准号：
24686014 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 0.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
Development of site-selective doping of rare-earth into nitride semiconductor
氮化物半导体稀土位点选择性掺杂研究进展
- 批准号：
23760281 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 0.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Development of group-III nitride double polar selective area growth process and fabrication of nanostructure device
III族氮化物双极选区生长工艺开发及纳米结构器件制备
- 批准号：
22760006 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 0.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Characteristics of Radiation Damage in Metal Nitride Compounds : Role of Structural Vacancy and Selective Displacement Damage
金属氮化物辐射损伤的特征：结构空位和选择性位移损伤的作用
- 批准号：
20560617 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 0.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Epitaxial Growth of AIGaN Using Selective Area Gmwth Technique
使用选择性区域 Gmwth 技术外延生长 AlGaN
- 批准号：
18560010 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 0.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)