Development of group-III nitride double polar selective area growth process and fabrication of nanostructure device
Development of group-III nitride double polar selective area growth process and fabrication of nanostructure device
III族氮化物双极选区生长工艺开发及纳米结构器件制备
批准号：
24686014
负责人：
Takayuki Nakano
金额：
$17.06万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2016-03-31
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Effect of substrate offcut angle on BGaN epitaxial growth
衬底切割角对BGaN外延生长的影响
衬底切割角对BGaN外延生长的影响
DOI：
10.7567/jjap.55.05fd05
发表时间：
2016
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Kohei Ueyama, Hidenori Mimura, Yoku Inoue, Toru Aoki, and Takayuki Nakano]
通讯作者：
and Takayuki Nakano
GaNにおける放射線検出特性の実験的評価(2)
GaN辐射探测特性的实验评估（2）
GaN辐射探测特性的实验评估（2）
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[杉浦 睦仁, 久志本 真希, 光成 正, 山下 康平, 本田 善央, 天野 浩, 三村 秀典, 井上 翼, 青木 徹, 中野 貴之]
通讯作者：
中野 貴之
The evaluation of radiation detection for GaN and BGaN
GaN和BGaN辐射检测评估
GaN和BGaN辐射检测评估
DOI：
--
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
[[29] K. Atsumi, A. Miyake, Y. Inoue, H. Mimura, T. Aoki and T. Nakano]
通讯作者：
T. Aoki and T. Nakano
Investigation of radiation detection which used BGaN
使用BGaN的放射线检测研究
使用BGaN的放射线检测研究
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. Watanabe, H. Tohmyoh, 岩崎志貢,長藤圭介,品川俊太,西橋健,鹿園直毅,中尾政之, Katsuhiro Atsumi]
通讯作者：
Katsuhiro Atsumi
MOVPE法を用いたBGaN成長における成長雰囲気の検討
MOVPE 法生长 BGaN 时生长气氛的考虑
MOVPE 法生长 BGaN 时生长气氛的考虑
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中村匠, 矢野雄大, 上山浩平，青木徹，井上翼，小島一信，秩父重英，中野貴之]
通讯作者：
上山浩平，青木徹，井上翼，小島一信，秩父重英，中野貴之
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