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Modeling of BiCMOS integrated circuits; collaborative research at the Institute of Physics and Technology, Moscow and at the Institute of Electronics, Tashkent, USSR

Modeling of BiCMOS integrated circuits; collaborative research at the Institute of Physics and Technology, Moscow and at the Institute of Electronics, Tashkent, USSR
BiCMOS 集成电路建模;
批准号:
106881-1990
负责人:
Elmasry, Mohamed
金额:
$0.4万
依托单位:
依托单位国家:
加拿大
项目类别:
International Collaborative Research Grant
财政年份:
1991
资助国家:
加拿大
项目状态:
已结题
起止时间:
1991-01-01 至 1992-12-31

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Variations-Sensitive Digital CMOS Circuits
  • 批准号:
    9334-2012
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $2.4万
  • 财政年份:
    2018
  • 负责人:
    Elmasry, Mohamed
  • 依托单位:
Variations-Sensitive Digital CMOS Circuits
  • 批准号:
    9334-2012
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $2.4万
  • 财政年份:
    2015
  • 负责人:
    Elmasry, Mohamed
  • 依托单位:
Variations-Sensitive Digital CMOS Circuits
  • 批准号:
    9334-2012
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $2.4万
  • 财政年份:
    2014
  • 负责人:
    Elmasry, Mohamed
  • 依托单位:
Variations-Sensitive Digital CMOS Circuits
  • 批准号:
    9334-2012
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $2.4万
  • 财政年份:
    2013
  • 负责人:
    Elmasry, Mohamed
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
SiGe BiCMOS工艺低噪声放大器电路空间单粒子效应电荷收集机制研究
  • 批准号:
    12005159
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    24.0万元
  • 批准年份:
    2020
  • 负责人:
    李培
  • 依托单位:
超高速SiGe BiCMOS光接收机前端电路低噪声设计方法研究
  • 批准号:
    61504106
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    21.0万元
  • 批准年份:
    2015
  • 负责人:
    李丹
  • 依托单位:
应变Si组合发射区SOI SiGe HBT BiCMOS器件研究与设计
  • 批准号:
    61404019
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    23.0万元
  • 批准年份:
    2014
  • 负责人:
    王冠宇
  • 依托单位:
高性能BiCMOS-NDR器件和BiCMOS数字集成电路设计研究
  • 批准号:
    61271124
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    75.0万元
  • 批准年份:
    2012
  • 负责人:
    姚茂群
  • 依托单位: