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Theoretical an experimental investigation of noise in advanced SiGe BiCMOS process technologies

Theoretical an experimental investigation of noise in advanced SiGe BiCMOS process technologies
先进 SiGe BiCMOS 工艺技术中噪声的理论和实验研究
批准号：
5445768
负责人：
Professor Dr.-Ing. Michael Schröter
金额：
$0.0万
依托单位：
Professur für Elektronische Bauelemente und Integrierte Schaltungen
依托单位国家：
德国
项目类别：
Research Grants
财政年份：
2005
资助国家：
德国
项目状态：
已结题
起止时间：
2004-12-31 至 2008-12-31
来源：
https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5445768?language=en
关键词：
Theoreticalexperimentalinvestigationnoiseadvanced

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