ULSI硅片缺陷控制与利用机理和过渡过程
批准号:
68876105
项目类别:
面上项目
资助金额:
4.0 万元
负责人:
徐岳生
依托单位:
学科分类:
半导体科学与信息器件
结题年份:
1990
批准年份:
1988
项目状态:
已结题
项目参与者:
张维连、任丙彦、鞠玉林、崔德升、林秀俊、陈克之、陈丙贤、高秀清、高集金
关键词:
半导体硅、砷化镓熔体物性参数及结构的研究
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批准号:50372016
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项目类别:面上项目
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资助金额:24.0万元
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批准年份:2003
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负责人:徐岳生
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依托单位:
Ф6“~Ф8“半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶生长及机制研究
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批准号:60276009
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项目类别:面上项目
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资助金额:26.0万元
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批准年份:2002
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负责人:徐岳生
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依托单位:
等效微重力晶体生长的研究
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批准号:59972007
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项目类别:面上项目
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资助金额:14.0万元
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批准年份:1999
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负责人:徐岳生
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依托单位:
硅单晶微重力生长的永磁MCZ模拟及控氧机理研究
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批准号:69576010
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项目类别:面上项目
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资助金额:9.0万元
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批准年份:1995
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负责人:徐岳生
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依托单位:
重掺锑硅单晶氧的结合机制及固溶度研究
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批准号:69276004
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项目类别:面上项目
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资助金额:5.0万元
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批准年份:1992
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负责人:徐岳生
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依托单位:
大功率和“功率集成“器件用NTDCZSi氧的控制与利用
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批准号:68976011
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项目类别:面上项目
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资助金额:5.0万元
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批准年份:1989
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负责人:徐岳生
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依托单位:
NTD硅中“辐照施主“的形成机理与结构
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批准号:68771010
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项目类别:面上项目
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资助金额:2.0万元
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批准年份:1987
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负责人:徐岳生
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依托单位:
国内基金
海外基金