Ф6“~Ф8“半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶生长及机制研究

批准号:
60276009
项目类别:
面上项目
资助金额:
26.0 万元
负责人:
徐岳生
依托单位:
学科分类:
F0401.半导体材料
结题年份:
2005
批准年份:
2002
项目状态:
已结题
项目参与者:
刘彩池、孙卫忠、王海云、朱军山、张雯、唐蕾、王胜利
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
结合最新热点,提供专业选题建议
深度指导申报书撰写,确保创新可行
指导项目中标800+,快速提高中标率
微信扫码咨询
中文摘要
宽带网络、无线移动通讯,促进了砷化镓微电子的发展,带动了大直径砷化镓单晶及抛光片的需求。本项目用改进的液封直拉法(LEC)生长Ф6″-8″半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶,并研究生长过程中热量、质量和动量输运以及保持镓、砷理论化学计量比、降低缺陷密度、改善均匀性等的机制和技术。对发展我国第三代移动通讯产业有重要意义。
英文摘要
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
半导体硅、砷化镓熔体物性参数及结构的研究
- 批准号:50372016
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:24.0万元
- 批准年份:2003
- 负责人:徐岳生
- 依托单位:
等效微重力晶体生长的研究
- 批准号:59972007
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:14.0万元
- 批准年份:1999
- 负责人:徐岳生
- 依托单位:
硅单晶微重力生长的永磁MCZ模拟及控氧机理研究
- 批准号:69576010
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:9.0万元
- 批准年份:1995
- 负责人:徐岳生
- 依托单位:
重掺锑硅单晶氧的结合机制及固溶度研究
- 批准号:69276004
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:5.0万元
- 批准年份:1992
- 负责人:徐岳生
- 依托单位:
大功率和“功率集成“器件用NTDCZSi氧的控制与利用
- 批准号:68976011
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:5.0万元
- 批准年份:1989
- 负责人:徐岳生
- 依托单位:
ULSI硅片缺陷控制与利用机理和过渡过程
- 批准号:68876105
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:4.0万元
- 批准年份:1988
- 负责人:徐岳生
- 依托单位:
NTD硅中“辐照施主“的形成机理与结构
- 批准号:68771010
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:2.0万元
- 批准年份:1987
- 负责人:徐岳生
- 依托单位:
国内基金
海外基金
