课题基金 / 基金详情

Ф6“～Ф8“半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶生长及机制研究

批准号：
60276009
项目类别：
面上项目
资助金额：
26.0 万元
负责人：
徐岳生
依托单位：
河北工业大学
学科分类：
半导体材料
结题年份：
2005
批准年份：
2002
项目状态：
已结题
项目参与者：
刘彩池、孙卫忠、王海云、朱军山、张雯、唐蕾、王胜利
关键词：
镓砷比.半绝缘砷化镓.LEC法

项目摘要

结项摘要

徐岳生的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
宽带网络、无线移动通讯，促进了砷化镓微电子的发展，带动了大直径砷化镓单晶及抛光片的需求。本项目用改进的液封直拉法（LEC)生长Ф6″-8″半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶，并研究生长过程中热量、质量和动量输运以及保持镓、砷理论化学计量比、降低缺陷密度、改善均匀性等的机制和技术。对发展我国第三代移动通讯产业有重要意义。
英文摘要
半导体硅、砷化镓熔体物性参数及结构的研究
  • 批准号：
    50372016
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    24.0万元
  • 批准年份：
    2003
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
等效微重力晶体生长的研究
  • 批准号：
    59972007
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    14.0万元
  • 批准年份：
    1999
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
硅单晶微重力生长的永磁MCZ模拟及控氧机理研究
  • 批准号：
    69576010
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    9.0万元
  • 批准年份：
    1995
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
重掺锑硅单晶氧的结合机制及固溶度研究
  • 批准号：
    69276004
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    5.0万元
  • 批准年份：
    1992
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
国内基金
海外基金