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Ф6“~Ф8“半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶生长及机制研究
结题报告
批准号:
60276009
项目类别:
面上项目
资助金额:
26.0 万元
负责人:
徐岳生
依托单位:
学科分类:
F0401.半导体材料
结题年份:
2005
批准年份:
2002
项目状态:
已结题
项目参与者:
刘彩池、孙卫忠、王海云、朱军山、张雯、唐蕾、王胜利
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
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中文摘要
宽带网络、无线移动通讯,促进了砷化镓微电子的发展,带动了大直径砷化镓单晶及抛光片的需求。本项目用改进的液封直拉法(LEC)生长Ф6″-8″半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶,并研究生长过程中热量、质量和动量输运以及保持镓、砷理论化学计量比、降低缺陷密度、改善均匀性等的机制和技术。对发展我国第三代移动通讯产业有重要意义。
英文摘要
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专利列表
半导体硅、砷化镓熔体物性参数及结构的研究
  • 批准号:
    50372016
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    24.0万元
  • 批准年份:
    2003
  • 负责人:
    徐岳生
  • 依托单位:
等效微重力晶体生长的研究
  • 批准号:
    59972007
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    14.0万元
  • 批准年份:
    1999
  • 负责人:
    徐岳生
  • 依托单位:
硅单晶微重力生长的永磁MCZ模拟及控氧机理研究
  • 批准号:
    69576010
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    9.0万元
  • 批准年份:
    1995
  • 负责人:
    徐岳生
  • 依托单位:
重掺锑硅单晶氧的结合机制及固溶度研究
  • 批准号:
    69276004
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    5.0万元
  • 批准年份:
    1992
  • 负责人:
    徐岳生
  • 依托单位:
大功率和“功率集成“器件用NTDCZSi氧的控制与利用
  • 批准号:
    68976011
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    5.0万元
  • 批准年份:
    1989
  • 负责人:
    徐岳生
  • 依托单位:
ULSI硅片缺陷控制与利用机理和过渡过程
  • 批准号:
    68876105
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    4.0万元
  • 批准年份:
    1988
  • 负责人:
    徐岳生
  • 依托单位:
NTD硅中“辐照施主“的形成机理与结构
  • 批准号:
    68771010
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    2.0万元
  • 批准年份:
    1987
  • 负责人:
    徐岳生
  • 依托单位:
国内基金
海外基金