大功率和“功率集成“器件用NTDCZSi氧的控制与利用
批准号:
68976011
项目类别:
面上项目
资助金额:
5.0 万元
负责人:
徐岳生
依托单位:
学科分类:
半导体科学与信息器件
结题年份:
1991
批准年份:
1989
项目状态:
已结题
项目参与者:
张维连、鞠玉林、任丙彦、张华、李养贤、陈炳贤、高秀清、张福祯、田祥云
半导体硅、砷化镓熔体物性参数及结构的研究
-
批准号:50372016
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:24.0万元
-
批准年份:2003
-
负责人:徐岳生
-
依托单位:
Ф6“~Ф8“半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶生长及机制研究
-
批准号:60276009
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:26.0万元
-
批准年份:2002
-
负责人:徐岳生
-
依托单位:
等效微重力晶体生长的研究
-
批准号:59972007
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:14.0万元
-
批准年份:1999
-
负责人:徐岳生
-
依托单位:
硅单晶微重力生长的永磁MCZ模拟及控氧机理研究
-
批准号:69576010
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:9.0万元
-
批准年份:1995
-
负责人:徐岳生
-
依托单位:
重掺锑硅单晶氧的结合机制及固溶度研究
-
批准号:69276004
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:5.0万元
-
批准年份:1992
-
负责人:徐岳生
-
依托单位:
ULSI硅片缺陷控制与利用机理和过渡过程
-
批准号:68876105
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:4.0万元
-
批准年份:1988
-
负责人:徐岳生
-
依托单位:
NTD硅中“辐照施主“的形成机理与结构
-
批准号:68771010
-
项目类别:面上项目
-
资助金额:2.0万元
-
批准年份:1987
-
负责人:徐岳生
-
依托单位:
国内基金
海外基金