熔体中生长半导体硅、砷化镓单晶，在要求高纯度、完整性、均匀性的同时，晶体都向大直径发展。把熔体环境相看做连续介质，不考虑结构效应和浓度、密度起伏，无法适应大直径生长需要。研究熔体结构与物性在过冷和磁场下的变化，为控制界面形态、稳定性；认识界面微观结构、生长动力学；进行计算机数字动态模拟；优化制备工艺提供理论依据。