半导体硅、砷化镓熔体物性参数及结构的研究
批准号：
50372016
项目类别：
面上项目
资助金额：
24.0 万元
负责人：
徐岳生
依托单位：
学科分类：
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2006
批准年份：
2003
项目状态：
已结题
项目参与者：
王金祥、王海云、张雯、郝秋艳、王继炎、孙卫忠、付生辉、杨新荣
项目摘要
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项目成果
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中文摘要
熔体中生长半导体硅、砷化镓单晶，在要求高纯度、完整性、均匀性的同时，晶体都向大直径发展。把熔体环境相看做连续介质，不考虑结构效应和浓度、密度起伏，无法适应大直径生长需要。研究熔体结构与物性在过冷和磁场下的变化，为控制界面形态、稳定性；认识界面微观结构、生长动力学；进行计算机数字动态模拟；优化制备工艺提供理论依据。
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
现代仪器, 2006，3：34-36
影响因子：
--
作者：
[石义情, 张雯]
通讯作者：
张雯
DOI：
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发表时间：
--
期刊：
材料导报, 2005，3：48-51
影响因子：
--
作者：
[张雯, 徐岳生]
通讯作者：
徐岳生
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
人工晶体学报.2005,34（3）：525-530 ，EI
影响因子：
--
作者：
[张雯]
通讯作者：
张雯
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
半导体学报. 2007，28（1）：65-68 ，EI
影响因子：
--
作者：
[张雯, 徐岳生, 王胜利]
通讯作者：
王胜利
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
半导体学报. 2005，26（9）：87-91， EI
影响因子：
--
作者：
[张雯, 徐岳生, 王海云]
通讯作者：
王海云
Ф6“～Ф8“半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶生长及机制研究
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批准号：60276009
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项目类别：面上项目
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资助金额：26.0万元
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批准年份：2002
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负责人：徐岳生
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依托单位：
等效微重力晶体生长的研究
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批准号：59972007
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项目类别：面上项目
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资助金额：14.0万元
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批准年份：1999
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负责人：徐岳生
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依托单位：
硅单晶微重力生长的永磁MCZ模拟及控氧机理研究
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批准号：69576010
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项目类别：面上项目
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资助金额：9.0万元
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批准年份：1995
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负责人：徐岳生
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依托单位：
重掺锑硅单晶氧的结合机制及固溶度研究
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批准号：69276004
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项目类别：面上项目
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资助金额：5.0万元
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批准年份：1992
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负责人：徐岳生
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依托单位：
大功率和“功率集成“器件用NTDCZSi氧的控制与利用
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批准号：68976011
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项目类别：面上项目
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资助金额：5.0万元
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批准年份：1989
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负责人：徐岳生
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依托单位：
ULSI硅片缺陷控制与利用机理和过渡过程
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批准号：68876105
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项目类别：面上项目
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资助金额：4.0万元
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批准年份：1988
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负责人：徐岳生
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依托单位：
NTD硅中“辐照施主“的形成机理与结构
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批准号：68771010
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项目类别：面上项目
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资助金额：2.0万元
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批准年份：1987
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负责人：徐岳生
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依托单位：
国内基金
海外基金