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等效微重力晶体生长的研究
结题报告
批准号：
59972007
项目类别：
面上项目
资助金额：
14.0 万元
负责人：
徐岳生
依托单位：
河北工业大学
学科分类：
E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2002
批准年份：
1999
项目状态：
已结题
项目参与者：
王志军、王海云、张颖怀、张雯、郝秋艳
关键词：
等效微重力.永磁磁场
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中文摘要
在晶体熔生长时引入磁场(永磁)，一定条件下，当磁场强度达到某临界值B0时，扩散是熔体中杂质输运的唯一机制，获得等效于太空的微重力生长条件。本课题在研究硅单晶生长基础上，扩展到磷化铟等无机材料，找出B0值(对应于低轨道卫星，g→g0x10-40)，研究等效微重力条件下晶体生长和杂质输运机制。.
英文摘要
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Identify of the Micro-insulating GaAs"
微绝缘GaAs的鉴定"
DOI：--
发表时间：--
期刊：J.Modern Physics B
影响因子：--
作者：徐岳生,张春玲,唐蕾,刘彩池,郝秋艳
通讯作者：徐岳生,张春玲,唐蕾,刘彩池,郝秋艳
砷化镓单晶的等效微重力生长
DOI：--
发表时间：--
期刊：功能材料与器件学报
影响因子：--
作者：徐岳生,李养贤,刘彩池,王海云,郝秋艳
通讯作者：徐岳生,李养贤,刘彩池,王海云,郝秋艳
半导体硅、砷化镓熔体物性参数及结构的研究
  • 批准号：
    50372016
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    24.0万元
  • 批准年份：
    2003
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
Ф6“～Ф8“半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶生长及机制研究
  • 批准号：
    60276009
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    26.0万元
  • 批准年份：
    2002
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
硅单晶微重力生长的永磁MCZ模拟及控氧机理研究
  • 批准号：
    69576010
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    9.0万元
  • 批准年份：
    1995
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
重掺锑硅单晶氧的结合机制及固溶度研究
  • 批准号：
    69276004
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    5.0万元
  • 批准年份：
    1992
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
大功率和“功率集成“器件用NTDCZSi氧的控制与利用
  • 批准号：
    68976011
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    5.0万元
  • 批准年份：
    1989
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
ULSI硅片缺陷控制与利用机理和过渡过程
  • 批准号：
    68876105
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    4.0万元
  • 批准年份：
    1988
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
NTD硅中“辐照施主“的形成机理与结构
  • 批准号：
    68771010
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    2.0万元
  • 批准年份：
    1987
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
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