课题基金基金详情
NTD硅中“辐照施主“的形成机理与结构
批准号：
68771010
项目类别：
面上项目
资助金额：
2.0 万元
负责人：
徐岳生
依托单位：
河北工业大学
学科分类：
F0122.物理电子学
结题年份：
1989
批准年份：
1987
项目状态：
已结题
项目参与者：
--
关键词：
NTD硅辐照施主形成结构
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半导体硅、砷化镓熔体物性参数及结构的研究
  • 批准号：
    50372016
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    24.0万元
  • 批准年份：
    2003
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
Ф6“～Ф8“半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶生长及机制研究
  • 批准号：
    60276009
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    26.0万元
  • 批准年份：
    2002
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
等效微重力晶体生长的研究
  • 批准号：
    59972007
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    14.0万元
  • 批准年份：
    1999
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
硅单晶微重力生长的永磁MCZ模拟及控氧机理研究
  • 批准号：
    69576010
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    9.0万元
  • 批准年份：
    1995
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
重掺锑硅单晶氧的结合机制及固溶度研究
  • 批准号：
    69276004
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    5.0万元
  • 批准年份：
    1992
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
大功率和“功率集成“器件用NTDCZSi氧的控制与利用
  • 批准号：
    68976011
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    5.0万元
  • 批准年份：
    1989
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
ULSI硅片缺陷控制与利用机理和过渡过程
  • 批准号：
    68876105
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    4.0万元
  • 批准年份：
    1988
  • 负责人：
    徐岳生
  • 依托单位：
    河北工业大学
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