多铁性材料由于其特殊的性能可用于多种功能器件。配合目前电子元器件及电子电路制备工艺，复相多铁性全陶瓷体系的研发为多铁性材料应用的进一步拓展开辟了新途径。受两相复合定律影响，简单复合将使两相性能明显下降。本项目以B(S)T/N(Z)FO为研究对象，引入渗流概念，并通过调节铁磁相本身的电导性将其用作为导电相材料，特别是利用溶胶凝胶及原位形成技术，通过形成在极小尺度上均匀分布且铁磁相被极薄一层铁电相很好包裹的两相，成功解决了产生渗流效应且具高渗流阈值的难题，制备了全陶瓷渗流型超高介高磁复合材料；更进一步，建立了通过抑制空间电荷传输降低损耗的思想，通过形成或引入高阻界面层，成功解决了在类似陶瓷体系中通常存在高损耗的难题，在高介高磁基础上获得了低损耗全陶瓷复相材料，对进一步加快在新型电子元器件方面的应用将极具科学意义和使用价值，有利于促进相关科学领域的发展。特别在电场可调磁电器件等领域应用前景广阔。