常压气相沉积法自诱导形成硅化钛纳米线的研究

硅化钛由于其低电阻率，高熔点，与硅工艺兼容等优点而被广泛用作电路中的接触和互连。硅化钛纳米线的优良的导电性，低的功函数以及高的化学以及物理稳定性，使其在纳米尺度范围可用作优异的场发射阴极材料，具有重要的应用前景，引起人们极大兴趣。已有的硅化钛纳米线多以PVD法沉积并经与基底相硅（或金属）反应获得，制备和应用受到一定限制。本项目首次设计采用常压化学气相沉积法，在玻璃基体上先沉积导电同质基层，再经自诱导直接在导电基层上生长硅化钛纳米线，其不仅制备基板不受限制，且应用时不必再次制备电极和进行二次涂敷，成功实现了硅化钛纳米线制备的方便、廉价、高纯和高性能，对进一步加快就目前已经发现的硅化钛纳米线可能在场发射性能等器件方面的应用将及具科学意义和使用价值，有利于促进相关科学领域的发展。另一方面，这种材料的成功制备，并经与介电材料的复合，还将有望对高电荷存储能力的薄膜电容器的突破产生革命性的影响。