本项目提出研究射频MEMS无源元器件铜互连及其建模技术，其长远目的是为了面向射频硅SOC的发展而探讨射频MEMS无源元器件与高速CMOS电路的工艺相容性和设计相容性。本项目的研究内容有四个方面：射频MEMS无源元器件铜互连工艺技术研究，铜互连射频MEMS无源元器件的设计及制造技术研究，铜互连线中射频信号传输问题研究和铜互连的建模，铜互连射频MEMS无源元器件的建模技术研究。本项目有望获得具有自主知识产权的创新成果，具有较大的科学意义，也具有重要的实用和产业价值，比如在铜互连射频MEMS无源元器件模型与商用器件建模软件系统Agilent IC-CAP的兼容上将取得突破，从而在为开发射频硅SOC芯片建立一定设计相容性基础方面迈出重要一步。本项目有利于推动硅基射频MEMS技术适应于硅SOC的发展趋势，尽快实现实用化。